欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

MSC82003 参数 Datasheet PDF下载

MSC82003图片预览
型号: MSC82003
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: NPN硅射频功率晶体管 [NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管射频
文件页数/大小: 2 页 / 56 K
品牌: ASI [ ADVANCED SEMICONDUCTOR ]
 浏览型号MSC82003的Datasheet PDF文件第2页  
MSC82003
NPN硅射频功率晶体管
描述:
ASI MSC82003
是专为
通用C级电源
放大器的应用高达2300 MHz的。
包装风格.250 2L FLG
A
ØD
C
E
.060 x 45°
倒角
B
产品特点:
P
G
= 10分贝分钟。在3瓦/ 2000兆赫
密封包装微带
Omnigold ™
金属化系统
暗淡
A
L
G
H
J
F
I
K
M
NP
最低
英寸/毫米
最大
英寸/毫米
.028 / 0.71
.740 / 18.80
.245 / 6.22
.128 / 3.25
.125 / 3.18
.110 / 2.79
.117 / 2.97
.560 / 14.22
.790 / 20.07
.225 / 5.72
.165 / 4.19
.003 / 0.08
.058 / 1.47
.119 / 3.02
.149 / 3.78
.032 / 0.81
.255 / 6.48
.132 / 3.35
.117 / 2.97
.570 / 14.48
.810 / 20.57
.235 / 5.97
.185 / 4.70
.007 / 0.18
.068 / 1.73
.135 / 3.43
.187 / 4.75
最大额定值
I
C
V
CC
P
DISS
T
J
T
英镑
θ
JC
600毫安
35 V
21.8 W¯¯ @ T
C
= 25
O
C
-65
O
C至+200
O
C
-65℃至+ 200C
15
O
C / W
O
O
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
M
N
P
公共基础
特征
符号
BV
CBO
BV
CER
BV
EBO
I
CBO
h
FE
C
ob
P
G
η
C
T
C
= 25 C
O
NONETEST
条件
I
C
= 1.0毫安
I
C
= 5.0毫安
I
E
= 1.0毫安
V
CB
= 28 V
V
CE
= 5.0 V
V
CB
= 28 V
V
CC
= 28 V
P
OUT
= 3.0 W
I
C
= 200毫安
F = 1.0 MHz的
F = 2.0 GHz的
R
BE
= 10
最小典型最大
45
45
3.5
1.0
15
120
3.5
10
35
单位
V
V
V
mA
---
pF
dB
%
A D V A N c个E D​​性S E M I C 0 N D ü (C T) Ø R, I N C。
7525 ETHEL AVENUE
北好莱坞, CA 91605
(818) 982-1200
传真( 818 ) 765-3004
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
REV 。一
1/2