NE02103 参数 Datasheet PDF下载

型号：	NE02103
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内容描述：	NPN硅晶体管RF [NPN SILICON RF TRANSISTOR]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	1 页 / 34 K
品牌：	ASI [ ADVANCED SEMICONDUCTOR ]

NE02103

NPN硅晶体管RF

描述：

该

ASI NE02103

是专为

振荡器和放大器应用最多

2.0 GHz的。

封装类型.100 4LPILL

功能包括：

•

高插入增益， 18.5分贝在500MHz 。

•

高功率增益，1.5分贝500兆赫。

•

低噪声系数， 12分贝在2 GHz 。

•

对于JAN级别添加sufix ð

最大额定值

CBO

首席执行官

EBO

DISS

英镑

70毫安

25 V

12 V

3.0 V

350毫瓦@ T

= 25 °C

-65℃ 〜+ 200 ℃，

70 ° C / W

1 - 基地

2&4 =辐射源

3 - 集电极

特征

符号

CBO

EBO

⏐S

⏐

= 10 V

= 15 V

= 2.0 V

= 10 V

= 25 °C

测试条件

最小典型最大

1.0

单位

µA

---

GHz的

= 20毫安

F = 1.0 MHz的

= 20毫安

F = 1.0 GHz的

F = 0.5 GHz的

F = 1.0 GHz的

F = 2.0 GHz的

0.6

4.5

18.5

5.5

6.5

1.5

2.7

250

1.0

民

= 3.0毫安

= 5.0毫安

F = 0.5 GHz的

F = 2.0 GHz的

4.5

A D V A N c个E D性S E M I C 0 N D ü （C T） Ø R， I N C。

7525 ETHEL AVENUE

•

北好莱坞， CA 91605

•

(818) 982-1200

•

传真（ 818 ） 765-3004

特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。

REV 。一

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