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型号: NE64535
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内容描述: NPN硅低噪声RF晶体管 [NPN SILICON LOW NOISE RF TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 2 页 / 22 K
品牌: ASI [ ADVANCED SEMICONDUCTOR ]
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NE64535
NPN硅低噪声RF晶体管
描述:
ASI NE64535
是一个普通的
发射设备专为低噪音
A类放大器的应用高达4.0
千兆赫。
包装风格.085 4L SQ
功能包括:
N
F
= 1.6 dB(典型) @ 2 GHz的
•
S
21E
2
= 11 dB(典型) @ 2 GHz的
密封陶瓷封装
最大额定值:
I
C
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
P
DISS
T
J
T
英镑
θ
JC
60毫安
25 V
12 V
1.5 V
300毫瓦@ T
A
75 C
O
-65℃ 〜+ 200 ℃,
-65 ° C至+150°C
85°C / W
T
C
= 25 °C
1 = COLLECTOR
2 & 4 =辐射源
3 = BASE
订货编号: ASI10752
特征
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
C
CB
f
t
S
21E
NF
GA
2
测试条件
V
CB
= 8 V
V
EB
= 1.0 V
V
CE
= 8.0 V
V
CB
= 10 V
V
CE
= 10 V
V
CE
= 8 V
V
CE
= 8 V
I
C
= 20毫安
I
C
= 20毫安
I
C
= 10毫安
F = 1.0 GHz的
F = 2.0 GHz的
F = 2.0 GHz的
I
C
= 7.0毫安
最小典型最大
100
1.0
50
250
0.6
8.0
10
10
8.5
11
1.6
11
2.5
单位
nA
µ
A
---
pF
GHz的
dB
dB
A D V A N c个E D​​性S E M I C 0 N D ü (C T) Ø R, I N C。
7525 ETHEL AVENUE
北好莱坞, CA 91605
(818) 982-1200
传真( 818 ) 765-3004
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
REV 。一
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