NE64700
NPN硅微波晶体管
描述：
该
ASI NE64700
是双极
晶体管专为低噪音
在甚高频应用， UFH和
微波频率高达12 GHz的。
芯片
封装形式： CHIP
产品特点：
•
P
G
= 18.1分贝典型@ 1.0 GHz的
•
NF
= 1.6 dB（典型） @ 1.0 GHz的
辐射源
最大额定值
I
C
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
T
J
T
英镑
20毫安
7.0 V
9.0 V
1.5 V
-65℃ 〜+ 200 ℃，
-65 ° C至+150°C
5
5
B
0.0007寸黄金线
14
2
BASE
芯片尺寸： （ 250× 250 ）× 125微米
焊盘：
模具附件：
50 ×50微米
金共晶
特征
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
C
CB
NF
P
G
P
1dB
f
t
V
CB
= 8.0 V
V
EB
= 1.0 V
V
CE
= 8.0 V
V
CB
= 8.0 V
V
CE
= 8.0 V
V
CE
= 8.0 V
I
C
= 10毫安
V
CE
= 8.0 V
S21
2
T
C
= 25 °C
测试条件
最小典型最大
0.2
1.0
单位
µA
µA
---
pF
dB
dB
DBM
GHz的
I
C
= 10毫安
F = 1.0 MHz的
I
C
= 2.0毫安
I
C
= 10毫安
F = 1.0 MHz的
F = 1.0 GHz的
50
100
0.11
1.6
15
12
12
7.5
18.1
12.8
12.6
250
I
C
= 10毫安
I
C
= 20毫安
I
C
= 10毫安
I
C
= 20毫安
F = 1.0 GHz的
F = 1.0 GHz的
F = 2.0 GHz的
F = 2.0 GHz的
A D V A N c个E D性S E M I C 0 N D ü （C T） Ø R， I N C。
7525 ETHEL AVENUE
•
北好莱坞， CA 91605
•
(818) 982-1200
•
传真（ 818 ） 765-3004
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
辐射源
0.0007英寸
金线
dB
REV 。一
1/1
ASI [ ADVANCED SEMICONDUCTOR ]
