PT3642 参数 Datasheet PDF下载

型号：	PT3642
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内容描述：	NPN硅射频功率晶体管 [NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR]
分类和应用：	晶体射频双极晶体管放大器
文件页数/大小：	1 页 / 21 K
品牌：	ASI [ ADVANCED SEMICONDUCTOR ]

PT3642

NPN硅射频功率晶体管

描述：

该

ASI PT3642

是专为

A类，B ，C放大器，振荡器和

驱动应用领域涵盖130〜

400MHz.

封装类型TO- 60

功能包括：

•

发射器碴

•

共射极包

最大额定值

DISS

英镑

3.0 A

40 V

23瓦@ T

= 25 °C

-65℃ 〜+ 200 ℃，

7.6 ° C / W

1 - 发射极

3 - 集电极

2 - 基

CASE =辐射源

特征

符号

首席执行官

CEX

CBO

首席执行官

EBO

OUT

= 25 °C

测试条件

= 200毫安

= 500

µA

= 30 V

= 4.0 V

= 5.0 V

= 30 V

= 28 V

= 150毫安

= 1.0 A

F = 1.0 MHz的

F = 100 MHz的

= -1.5 V

最小典型最大

250

5.0

400

13.5

5.8

单位

---

兆赫

= 28 V

F = 175 MHz的

A D V A N c个E D性S E M I C 0 N D ü （C T） Ø R， I N C。

7525 ETHEL AVENUE

•

北好莱坞， CA 91605

•

(818) 982-1200

•

传真（ 818 ） 765-3004

特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。

REV 。一

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