PT6709 参数 Datasheet PDF下载

型号：	PT6709
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内容描述：	NPN硅射频功率晶体管 [NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR]
分类和应用：	晶体射频双极晶体管放大器局域网
文件页数/大小：	1 页 / 90 K
品牌：	ASI [ ADVANCED SEMICONDUCTOR ]

PT6709

NPN硅射频功率晶体管

描述：

该

ASI PT6709

是一个平面型晶体管

主要用于UHF C类设计，

28 V发射器。高达400兆赫。

包装样式0.380 2L FLG

产品特点：

•

= 4.6分贝分钟。在20瓦/ 400兆赫

• η

= 60 ％以上。在20W / 400 MHz的

•

Omnigold ™

金属化系统

•

发射极镇流

最大额定值

CBO

首席执行官

EBO

DISS

英镑

3.0 A

60 V

35 V

4.0 V

30瓦@ T

= 25 °C

-65℃ 〜+ 200 ℃，

-65 ° C至+150°C

5.8 ° C / W

特征

符号

首席执行官

CES

EBO

CBO

OUT

= 25 °C

NONETEST

条件

= 200毫安

= 10毫安

= 30 V

= 5.0 V

= 30 V

= 0.5 V

= 28 V

= 1.19 A

= 500毫安

F = 1.0 MHz的

F = 136 MHz的

F = 400 MHz的

最小典型最大

4.0

1.0

5.0

4.6

6.1

单位

---

A D V A N c个E D性S E M I C 0 N D ü （C T） Ø R， I N C。

7525 ETHEL AVENUE

•

北好莱坞， CA 91605

•

(818) 982-1200

•

传真（ 818 ） 765-3004

特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。

REV 。一

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