PTB20101 参数 Datasheet PDF下载

型号：	PTB20101
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内容描述：	NPN硅射频功率晶体管 [NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR]
分类和应用：	晶体射频双极晶体管放大器局域网
文件页数/大小：	1 页 / 45 K
品牌：	ASI [ ADVANCED SEMICONDUCTOR ]

PTB20101

NPN硅射频功率晶体管

描述：

该

ASI PTB20101

是专为

AB通用类电源

放大器的应用高达860兆赫。

包装样式0.860 4L FLG

产品特点：

•

175 W， 470-860兆赫

•

氮化硅钝化

•

Omnigold ™

金属化系统

最大额定值

CBO

DISS

英镑

20 A

65 V

330 W¯¯ @ T

= 25 °C

-40 ° C至+150°C

0.53 ° C / W

1,5 =集热器

3 =发射器

2,4 = BASE

特征

符号

首席执行官

CES

EBO

OUT

= 25 °C

NONETEST

条件

= 100毫安

= 5.0毫安

= 5.0 V

= 28 V

= 2×200毫安

= 28 V

= 2×200毫安

OUT

= 110 W

= 1.0 A

F = 1.0 MHz的

F = 860 MHz的

最小典型最大

3.5

8.5

175

5:1

100

单位

---

OUT

= 175 W

F = 860 MHz的

A D V A N c个E D性S E M I C 0 N D ü （C T） Ø R， I N C。

7525 ETHEL AVENUE

•

北好莱坞， CA 91605

•

(818) 982-1200

•

传真（ 818 ） 765-3004

特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。

版本C

1/1

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