PTB32005X 参数 Datasheet PDF下载

型号：	PTB32005X
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内容描述：	NPN硅射频功率晶体管 [NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR]
分类和应用：	晶体晶体管射频
文件页数/大小：	1 页 / 18 K
品牌：	ASI [ ADVANCED SEMICONDUCTOR ]

PTB32001X

NPN硅射频功率晶体管

描述：

该

ASI PTB32001X

是专为

公共基础通用

放大器应用高达4.2 GHz的。

包装风格.250 2L FLG

ØD

.060 x 45°

倒角

功能包括：

•

扩散发射极镇流电阻器

•

法兰密封包装

•

黄金Metelization

最大额定值

CBO

DISS

英镑

250毫安

40 V

4.2 W¯¯ @ T

= 75 °C

-65℃ 〜+ 200 ℃，

22 ° C / W

暗淡

最低

英寸/毫米

最大

英寸/毫米

.028 / 0.71

.740 / 18.80

.245 / 6.22

.128 / 3.25

.125 / 3.18

.110 / 2.79

.117 / 2.97

.560 / 14.22

.790 / 20.07

.225 / 5.72

.165 / 4.19

.003 / 0.08

.058 / 1.47

.119 / 3.02

.149 / 3.78

.032 / 0.81

.255 / 6.48

.132 / 3.35

.117 / 2.97

.570 / 14.48

.810 / 20.57

.235 / 5.97

.185 / 4.70

.007 / 0.18

.068 / 1.73

.135 / 3.43

.187 / 4.75

特征

符号

CBO

CES

CBO

EBO

OUT

= 25 °C

测试条件

= 1.0毫安

= 10毫安

= 24 V

= 1.5 V

= 24 V

= 1.5 V

F = 1.0 MHz的

最小典型最大

0.2

2.2

0.3

1.3

8.0

单位

µA

= 24 V

F = 3.0 GHz的

A D V A N c个E D性S E M I C 0 N D ü （C T） Ø R， I N C。

7525 ETHEL AVENUE

•

北好莱坞， CA 91605

•

(818) 982-1200

•

传真（ 818 ） 765-3004

特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。

版本B

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