PTF10019
MOS场效应
描述：
该
ASI PTF10019
是专为
蜂窝，GSM和D-AMPS
applicarions 860 TP 960兆赫。
包装样式
产品特点：
•
70 W， 860-960兆赫
•
内部匹配
•
Omnigold ™
金属化系统
•
氮化硅钝化
最大额定值
V
DSS
V
GS
P
DISS
T
J
T
英镑
θ
JC
65 V
±20
V
215 W¯¯ @ T
C
= 25 °C
-40°C 〜+ 200 ℃，
-40 ° C至+150°C
0.8 ° C / W
1 =排水
2 - 门
3 =来源
特征
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
V
GS （ TH）
G
fs
P
G
η
C
P-1dB
Ψ
V
GS
= 0 v
V
DS
= 26 V
V
DS
= 10 V
V
DS
= 10 V
T
C
= 25 °C
NONETEST
条件
I
D
= 25毫安
I
D
= 75毫安
I
D
= 3.0 A
P
OUT
= 70 W
I
DQ
= 600毫安
最小典型最大
65
1.0
3.0
3.0
13.0
45
70
14.5
50
75
10:1
5.0
单位
V
mA
V
SIEMENS
dB
%
W
---
V
DD
= 28 V
F = 960 MHz的
A D V A N c个E D性S E M I C 0 N D ü （C T） Ø R， I N C。
7525 ETHEL AVENUE
•
北好莱坞， CA 91605
•
(818) 982-1200
•
传真（ 818 ） 765-3004
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
REV 。一
1/1
ASI [ ADVANCED SEMICONDUCTOR ]
