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SD1219图片预览
型号: SD1219
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内容描述: NPN硅射频功率晶体管 [NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管射频
文件页数/大小: 1 页 / 21 K
品牌: ASI [ ADVANCED SEMICONDUCTOR ]
   
SD1219
NPN硅射频功率晶体管
描述:
SD1219
是专为
12.5 V集电极调制AM C类
在118至136 MHz的放大器服务
航空电子通信带宽。
封装形式0.380" 4L螺柱
.112x45°
A
B
C
E
ØC
产品特点:
P
G
= 8 dB(典型) 60 W / 175 MHz的
保证13.5和28 V性能
Omnirel ™
金属化系统
E
B
H I
J
D
# 8-32 UNC -2A
G
F
E
最大额定值
I
C
V
CE
V
CB
P
DISS
T
J
T
英镑
θ
JC
O
6.5 A
35 V
65 V
75瓦@ T
C
= 25
O
C
-65℃至+ 200C
-65
O
C至+150
O
C
2.3
O
C / W
O
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
最低
英寸/毫米
最大
英寸/毫米
.220 / 5.59
.980 / 24.89
.370 / 9.40
.004 / 0.10
.320 / 8.13
.100 / 2.54
.450 / 11.43
.090 / 2.29
.155 / 3.94
.230 / 5.84
.385 / 9.78
.007 / 0.18
.330 / 8.38
.130 / 3.30
.490 / 12.45
.100 / 2.54
.175 / 4.45
.750 / 19.05
订货编号: ASI10733
特征
符号
BV
CES
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
h
FE
C
ob
P
G
I
C
= 200毫安
I
C
= 200毫安
I
E
= 10毫安
V
CB
= 30 V
V
CE
= 5.0 V
V
CB
= 30 V
T
C
= 25
O
C
测试条件
最小典型最大
65
35
4.0
2.0
单位
V
V
V
mA
---
I
C
= 500毫安
F = 1.0 MHz的
P
OUT
= 60 W
P
OUT
= 17.5 W
F = 150 MHz的
F = 150 MHz的
5.0
80
7.0
5.0
8.0
6.0
pF
dB
V
CE
= 28 V
V
CE
= 13.5 V
A D V A N c个E D​​性S E M I C 0 N D ü (C T) Ø R, I N C。
7525 ETHEL AVENUE
北好莱坞, CA 91605
(818) 982-1200
传真( 818 ) 765-3004
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
REV 。一
1/1