SD1407
NPN硅射频功率晶体管
描述：
该
ASI SD1407
是一个AB类
共发射极晶体管设计
宽带放大器操作起来
到30兆赫。
包装样式0.500 4L FLG
.112x45°
A
，完全R
L
产品特点：
•
P
G
= 15分贝分钟。在125 W / 30 MHz的
•
高线性输出功率
•
IMD
3
= -30 dBc的最大值。在125瓦
（PEP）
•
Omnigold ™
金属化系统
C
B
E
C
Ø.125 NOM 。
B
D
G
F
E
E
H
最大额定值
I
C
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
P
DISS
T
J
T
英镑
θ
JC
20 A
65 V
36 V
4.0 V
270 W¯¯ @ T
C
= 25 °C
-65℃ 〜+ 200 ℃，
-65 ° C至+150°C
0.65 ° C / W
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
.980 / 24.89
.970 / 24.64
.495 / 12.57
.003 / 0.08
.090 / 2.29
.150 / 3.81
.245 / 6.22
.720 / 18.28
.125 / 3.18
最低
英寸/毫米
I J
K
最大
英寸/毫米
.220 / 5.59
.125 / 3.18
.230 / 5.84
.255 / 6.48
.7.30 / 18.54
.980 / 24.89
.505 / 12.83
.007 / 0.18
.110 / 2.79
.175 / 4.45
.280 / 7.11
1.050 / 26.67
特征
符号
BV
首席执行官
BV
CES
BV
CBO
BV
EBO
I
CES
h
FE
C
ob
G
P
IMD
3
T
C
= 25 °C
NONETEST
条件
I
C
= 100毫安
I
C
= 100毫安
I
C
= 100毫安
I
E
= 10毫安
V
CE
= 30 V
V
CE
= 5.0 V
V
CB
= 30 V
V
CE
= 28 V
V
CE
= 28 V
P
IN
= 3.95 W
I
CQ
= 100毫安
I
C
= 5.0 A
F = 1.0 MHz的
F = 30 MHz的
F = 30 MHz的
最小典型最大
35
65
65
4.0
15
10
---
15
250
16
-34
-30
200
---
单位
V
V
V
mA
---
pF
dB
dBc的
A D V A N c个E D性S E M I C 0 N D ü （C T） Ø R， I N C。
7525 ETHEL AVENUE
•
北好莱坞， CA 91605
•
(818) 982-1200
•
传真（ 818 ） 765-3004
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
版本B
1/1
ASI [ ADVANCED SEMICONDUCTOR ]
