SD1444 参数 Datasheet PDF下载

型号：	SD1444
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内容描述：	NPN硅射频功率晶体管 [SILICON NPN RF POWER TRANSISTOR]
分类和应用：	晶体晶体管射频
文件页数/大小：	1 页 / 24 K
品牌：	ASI [ ADVANCED SEMICONDUCTOR ]

SD1444

NPN硅射频功率晶体管

描述：

该

ASI SD1444

专为大信号功率

在所述操作放大器的应用

250-512 MHz范围内。

产品特点：

•

共发射极

•

OUT

= 4.0 WATTS

•

12.5伏

封装形式TO- 39

最大额定值：

DISS

英镑

0.4 A

36 V

16 V

5.0 W¯¯ @ T

= 25 °C

-65℃ 〜+ 200 ℃，

35.0 ° C / W

1 - 发射极

2 - 基

3 - 集电极

特征

符号

首席执行官

CES

EBO

CBO

= 50毫安

= 25 °C

TRANS1.SYM

测试条件

最低

4.0

典型

最大

单位

= 1.0毫安

= 15 V

= 5.0 V

= 15.0 V

= 50毫安

F = 1.0 MHz的

OUT

= 2.0 W

F = 470 MHz的

1.0

200

8.0

---

= 12.5 V

阻抗数据

频率

470兆赫

OUT

= 2.0 W

= 12.5 V

(Ω)

2.9 + j0.6

(Ω)

15.6 – j10.2

A D V A N c个E D性S E M I C 0 N D ü （C T） Ø R， I N C。

7525 ETHEL AVENUE

•

北好莱坞， CA 91605

•

(818) 982-1202

•

传真（ 818 ） 765-3004

特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。

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