SD1480 参数 Datasheet PDF下载

型号：	SD1480
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内容描述：	NPN硅射频功率晶体管 [NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR]
分类和应用：	晶体晶体管射频
文件页数/大小：	1 页 / 18 K
品牌：	ASI [ ADVANCED SEMICONDUCTOR ]

SD1480

NPN硅射频功率晶体管

描述：

该

ASI SD1480

是专为

C类， 28 V高频段应用

高达175兆赫。

产品特点：

•

内部输入匹配网络

•

共发射极

•

= 9.0分贝在125 W / 175 MHz的

•

Omnigold ™

金属化系统

包装样式0.500 6L FLG

在2倍

FU LL ř

.725/18,42

M AX IM ü M

英寸S / M M

最大额定值

CBO

首席执行官

CES

EBO

DISS

英镑

20 A

65 V

36 V

65 V

4.0 V

270 W¯¯ @ T

= 25 °C

-65℃ 〜+ 200 ℃，

-65 ° C至+150°C

0.65 ° C / W

ð IM

M IN IM ü M

英寸S / M M

.150 / 3.43

.045 / 1.14

.210 / 5.33

.835 / 21.21

.200 / 5.08

.490 / 12.45

.003 / 0.08

.125 / 3.18

.725 / 18.42

.970 / 24.64

.090 / 2.29

.150 / 3.81

.120 / 3.05

.160 / 4.06

.220 / 5.59

.865 / 21.97

.210 / 5.33

.510 / 12.95

.007 / 0.18

.980 / 24.89

.105 / 2.67

.170 / 4.32

.285 / 7.24

.135 / 3.43

特征

符号

CBO

CES

首席执行官

EBO

CES

= 25 °C

NONETEST

条件

= 100毫安

= 10毫安

= 30 V

= 5.0 V

= 28 V

OUT

= 125 W

= 5.0 A

F = 1.0 MHz的

F = 150 MHz的

最小典型最大

4.0

200

250

9.2

单位

---

A D V A N c个E D性S E M I C 0 N D ü （C T） Ø R， I N C。

7525 ETHEL AVENUE

•

北好莱坞， CA 91605

•

(818) 982-1200

•

传真（ 818 ） 765-3004

特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。

版本B

1/1

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