SD8250 参数 Datasheet PDF下载

型号：	SD8250
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内容描述：	NPN硅射频功率晶体管 [NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR]
分类和应用：	晶体射频双极晶体管放大器局域网
文件页数/大小：	2 页 / 24 K
品牌：	ASI [ ADVANCED SEMICONDUCTOR ]

SD8250

NPN硅射频功率晶体管

包装风格.400 2L FLG

描述：

ð IM

.395 / 10.03

.193 / 4.90

.230 / 5.84

.003 / 0.08

.118 / 3.00

.063 / 1.60

.650 / 16.51

.386 / 9.80

.900 / 22.86

.450 / 11.43

.125 / 3.18

.050 / 1.27

.405 / 10.29

.170 / 4.32

.062 / 1.58

.006 / 0.15

.131 / 3.33

M IN IM ü M

在CH （E S） / M M

该

ASI SD8250

是专为C级

TACAN / DME应用。

产品特点：

•

内部输入/输出匹配网络

•

发射器碴。

•

= 7.8分贝在30 W / 1215 MHz的

•

Omnigold ™

金属化系统

.062 x 45°

Ø.120

米XIM ü米

在CH （E S） / M M

.140 / 3.56

.110 / 2.80

.407 / 10.34

最大额定值

DISS

英镑

20 A

50 V

575 W¯¯ @ T

25 °C

-65℃ 〜+ 200 ℃，

0.28 ° C / W

特征

符号

CBO

CES

EBO

CES

= 35毫安

= 25毫安

= 15毫安

= 50 V

= 5.0 V

= 50 V

= 25 °C

NONETEST

条件

最小典型最大

4.0

单位

---

= 1.0 A

OUT

= 250 W

F = 960 - 1215兆赫

8.0

200

A D V A N c个E D性S E M I C 0 N D ü （C T） Ø R， I N C。

7525 ETHEL AVENUE

•

北好莱坞， CA 91605

•

(818) 982-1200

•

传真（ 818 ） 765-3004

特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。

版本B

1/2

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