TPR175 参数 Datasheet PDF下载

型号：	TPR175
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内容描述：	NPN硅射频微波功率晶体管 [NPN SILICON RF-MICROWAVE POWER TRANSISTOR]
分类和应用：	晶体射频双极晶体管微波
文件页数/大小：	1 页 / 26 K
品牌：	ASI [ ADVANCED SEMICONDUCTOR ]

TPR175

NPN硅射频，微波功率

晶体管

描述：

该

ASI TPR175

是一种常见的基

晶体管专为脉冲系统

在频带1030至1090年兆赫。

包装样式

产品特点：

•

公共基础

•

内部匹配网络

•

= 8.0分贝在175 W / 1090 MHz的

•

Omnigold ™

金属化系统

最大额定值

CES

EBO

DISS

英镑

12.5 A

55 V

3.5 V

388 W¯¯ @ T

= 25 °C

-65℃ 〜+ 200 ℃，

-65 ° C至+150°C

0.45 ° C / W

1 =收藏家2 =基地3 =发射

特征

符号

CES

EBO

vsrw

= 20毫安

= 5.0毫安

= 5.0 V

= 50 V

= 25

NONETEST

条件

最小典型最大

3.5

单位

---

= 20毫安

OUT

= 175 W

F = 1090 MHz的

8.0

9.0

00:1

A D V A N c个E D性S E M I C 0 N D ü （C T） Ø R， I N C。

7525 ETHEL AVENUE

•

北好莱坞， CA 91605

•

(818) 982-1200

•

传真（ 818 ） 765-3004

特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。

版本B

1/1

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