TPV5051-1 参数 Datasheet PDF下载

型号：	TPV5051-1
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内容描述：	NPN硅射频功率晶体管 [NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR]
分类和应用：	晶体射频双极晶体管放大器局域网
文件页数/大小：	1 页 / 19 K
品牌：	ASI [ ADVANCED SEMICONDUCTOR ]

TPV5051-1

NPN硅射频功率晶体管

描述：

该

TPV5051-1

是专为AB

推拉式，由共发射极

470至860兆赫的应用。

封装类型BMA 2A

分：

（英寸/毫米）

.060/1.52

.055/1.40

.124/3.15

.234/6.17

.635/16.13

.092/.234

.555/14.10

.739/18.77

.315/8.00

.002/0.05

.055/1.40

.075/1.91

.245/6.22

最大：

（英寸/毫米）

.060/1.52

.065/1.65

.124/3.15

.253/6.34

.665/16.89

.092/.234

.565/14.35

.749/19.02

.327/8.31

.006/0.15

.065/1.65

.095/2.41

.190/4.83

.257/6.53

最大额定值

DISS

英镑

2.6 A

（每边）

25 V

65瓦@ T

= 25

（总）

-65

C至+200

-65

C至+150

2.5

C / W

1 =发射器/法兰

3 = BASE 2 =倒角45 °

LEADS =集热器

特征

符号

首席执行官

CBO

EBO

= 40毫安

= 20毫安

= 6.0毫安

= 20 V

= 28 V

= 25

NONETEST

条件

最小典型最大单位

4.0

---

6.5

= 800毫安

F = 1.0 MHz的

（每边）

OUT

= 50 W

智商= 2×100毫安

F = 860 MHz的

A D V A N c个E D性S E M I C 0 N D ü （C T） Ø R， I N C。

7525 ETHEL AVENUE

•

北好莱坞， CA 91605

•

(818) 982-1200

•

传真（ 818 ） 765-3004

特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。

REV 。一

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