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TPV5051图片预览
型号: TPV5051
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内容描述: NPN硅射频功率晶体管 [NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体射频双极晶体管放大器局域网
文件页数/大小: 1 页 / 27 K
品牌: ASI [ ADVANCED SEMICONDUCTOR ]
   
TPV5051
NPN硅射频功率晶体管
描述:
TPV5051
是专为AB
推拉式,由共发射极
470至860兆赫的应用。
封装形式BMA- 2
毫米
S
最大
20.07 20.57
6.35
6.85
4.20
5.02
1.40
1.65
1.40
1.65
1.27
1.77
1.34
2.43
0.08
0.12
4.83
5.33
6.56
6.80
3.18
3.42
14.03 14.52
英寸
0.790
0.250
0.165
0.055
0.055
0.060
0.076
0.003
0.190
0.258
0.125
0.552
最大
0.810
0.270
0.198
0.065
0.065
0.070
0.096
0.005
0.210
0.268
0.135
0.572
产品特点:
黄金金属化
扩散镇流电阻
暗淡
A
B
C
D
E
G
H
J
K
N
Q
U
1 - 基地
2 - 基
4 =集热器
3 - 集电极
5 =辐射源
最大额定值
I
C
V
首席执行官
V
CBO
P
DISS
T
J
T
英镑
θ
JC
9.0 A
30 V
45 V
97 W¯¯ @ T
C
= 25 °C
-65℃ 〜+ 200 ℃,
-65 ° C至+150°C
1.8 ° C / W
特征
符号
BV
首席执行官
BV
CBO
BV
EBO
BV
CER
I
首席执行官
h
FE
C
ob
P
G
η
C
I
C
= 60毫安
I
C
= 20毫安
I
E
= 6.0毫安
I
C
= 10毫安
V
CE
= 28 V
V
CE
= 20 V
V
CB
= 28 V
V
CE
= 28 V
T
C
= 25 °C
NONETEST
条件
最小典型最大单位
30
45
4.0
V
V
V
V
10
mA
---
40
6.5
45
pF
dB
%
R
BE
= 50
I
C
= 800毫安
F = 1.0 MHz的
(每边)
P
OUT
= 50 W
智商= 2X50毫安
F = 860 MHz的
40
10
A D V A N c个E D​​性S E M I C 0 N D ü (C T) Ø R, I N C。
7525 ETHEL AVENUE
北好莱坞, CA 91605
(818) 982-1200
传真( 818 ) 765-3004
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
REV 。一
1/1