TPV595 参数 Datasheet PDF下载

型号：	TPV595
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内容描述：	NPN硅射频功率晶体管 [NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR]
分类和应用：	晶体射频双极晶体管放大器局域网
文件页数/大小：	1 页 / 34 K
品牌：	ASI [ ADVANCED SEMICONDUCTOR ]

TPV595

NPN硅射频功率晶体管

描述：

该

TPV595

是专为AB类

推拉式，从470共发射极

到860兆赫的应用。

包装风格.250 BAL FLG

.020 x 45°

集热器 - 2个地方

Ø 0.130 N 2 O 3米

.05 0 x 45°

产品特点：

•

黄金金属化

发射极连接到佛罗里达州安格

基地 - 2名额

•

发射极镇流电阻

•

内部输入匹配

ð IM

M IN IM ü M

英寸/ M M

M A X IM ü米

英寸/ M M

最大额定值

DISS

英镑

2× 2.6

45 V

65瓦@ T

= 25

-50

C至+200

-50

C至+200

2.5

C / W

.0 60 / 1 .52

.055 / 1.40

.125 / 3.18

.243 / 6.17

.630 / 16.00

.092 / 2.34

.555 / 14.10

.739 / 18.77

.315 / 8.00

.002 / 0.05

.055 / 1.40

.075 1.91

.24 5 / 6 .22

.565 / 14.35

.750 / 19.05

.3 27 / 8.31

.006 / 0.15

.065 / 1.65

.0 95 / 2.41

.190 / 4.83

.257 / 6.53

.255 / 6.48

.670 / 17.01

.065 / 1.65

特征

符号

首席执行官

CER

CBO

EBO

IMD

= 40毫安

= 20毫安

= 20 V

= 5毫安

= 20 V

= 25 V

= 25 C

NONETEST

条件

= 51

Ω

最小典型最大

5.0

3.0

单位

= 500毫安

= 25 V

F = 860 MHz的

视力= -8分贝

= 2× 900毫安

音效= -7分贝

REF

= 14 W

SB = -16分贝

8.5

9.5

-47

A D V A N c个E D性S E M I C 0 N D ü （C T） Ø R， I N C。

7525 ETHEL AVENUE

•

北好莱坞， CA 91605

•

(818) 982-1200

•

传真（ 818 ） 765-3004

特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。

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