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TPV6030图片预览
型号: TPV6030
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内容描述: NPN硅射频功率晶体管 [NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管射频
文件页数/大小: 1 页 / 18 K
品牌: ASI [ ADVANCED SEMICONDUCTOR ]
   
TPV6030
NPN硅射频功率晶体管
描述:
ASI TPV6030
是专为
电视频段IV & V应用
高达860兆赫。
包装风格.400 BAL FLG ( C)
.080x45°
A
B
,完全R
( 4X ) .060 ř
E
D
C
.1925
F
H
I
N
L
G
M
产品特点:
共发射极
P
G
= 9.5分贝35 W / 860 MHz的
Omnigold ™
金属化系统
最大额定值
I
C
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
P
DISS
T
J
T
英镑
θ
JC
15 A
28 V
55 V
4.0 V
为160W @ T
C
= 25 °C
-65℃ 〜+ 200 ℃,
-65 ° C至+150°C
1.1 ° C / W
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
M
N
.395 / 10.03
.850 / 21.59
1.335 / 33.91
.003 / 0.08
.060 / 1.52
.082 / 2.08
.120 / 3.05
.380 / 9.65
.780 / 19.81
.435 / 11.05
1.090 / 27.69
MIN IMUM
英寸/ M M
J
K
最大
英寸/ M M
.220 / 5.59
.210 / 5.33
.230 / 5.84
.130 / 3.30
.390 / 9.91
.820 / 20.83
1.345 / 34.16
.007 / 0.18
.070 / 1.78
.100 / 2.54
.205 / 5.21
.407 / 10.34
.870 / 22.10
特征
符号
BV
CBO
BV
CER
BV
EBO
I
CER
h
FE
C
OB
P
G
IMD
P
OUT
I
C
= 35毫安
I
C
= 35毫安
I
E
= 10毫安
V
CE
= 30 V
V
CE
= 10 V
V
CB
= 28 V
T
C
= 25 °C
NONETEST
条件
R
BE
= 75
R
BE
= 75
I
C
= 2.0 A
F = 1.0 MHz的
I
C
= 4.5 A
I
C
= 4.5 A
F = 860 MHz的
F = 860 MHz的
最小典型最大
55
40
4.0
10
15
45
95
35
10.5
-52
40
-51
100
单位
V
V
V
mA
---
pF
dB
dBc的
W
V
CC
= 25 V
P
OUT
= 20 W
V
CE
= 25 V
A D V A N c个E D​​性S E M I C 0 N D ü (C T) Ø R, I N C。
7525 ETHEL AVENUE
北好莱坞, CA 91605
(818) 982-1200
传真( 818 ) 765-3004
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
REV 。一
1/1