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    TPV8100B 参数 Datasheet PDF下载

    TPV8100B图片预览
    型号： TPV8100B
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： NPN硅射频功率晶体管 [NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR]
    分类和应用： 晶体射频双极晶体管放大器局域网
    文件页数/大小： 1 页 / 27 K
    品牌： ASI [ ADVANCED SEMICONDUCTOR ]
       
    TPV8100B
    TPV8100B
    NPN硅射频功率晶体管
    描述：
    该
    ASI TPV8100B
    是专为
    发射机输出级覆盖
    电视频段IV和V ，工作在28 V.
    功能包括：
    •
    内部输入，输出匹配
    •
    共发射极配置
    •
    黄金金属化
    •
    发射极镇流
    封装类型.438X.450 4LFL
    最大额定值
    I
    C
    V
    CER
    P
    DISS
    T
    J
    T
    英镑
    θ
    JC
    12 A
    40 V R
    BE
    = 10
    Ω
    215 W¯¯ @ T
    C
    = 25 C
    -65℃至+ 200C
    -65℃至+ 150℃
    0.8 C / W
    O
    O
    O
    O
    O
    O
    1 =集热＃ 1
    2 =收藏家
    #2
    3 = BASE ＃ 1
    4 = BASE ＃ 2
    5 =辐射源CASE （ COMMON ）
    特征
    符号
    BV
    CER
    BV
    CBO
    BV
    EBO
    I
    CER
    h
    FE
    G
    p
    η
    P
    OUT
    I
    C
    = 10毫安
    I
    C
    = 20毫安
    I
    E
    = 10毫安
    V
    CE
    = 28 V
    V
    CE
    = 10 V
    V
    CE
    = 28 V
    V
    CE
    = 28 V
    T
    C
    = 25 C
    O
    测试条件
    R
    BE
    = 75
    Ω
    最小典型最大
    30
    65
    4.0
    单位
    V
    V
    V
    R
    BE
    = 75
    Ω
    I
    C
    = 2.0 A
    I
    cq
    = 2X50毫安
    I
    cq
    = 2X50毫安
    F = 860 MHz的
    F = 860 MHz的
    F = 860 MHz的
    30
    8.5
    55
    100
    10
    120
    mA
    ---
    dB
    %
    W
    I
    cq
    = 2X50毫安
    V
    CE
    = 28 V
    1.0分贝
    压缩
    （ REF = 25 W）
    V
    CE
    = 28 V
    V
    CE
    = 32 V
    I
    cq
    = 2X50毫安
    I
    cq
    = 2×25毫安
    在视频功能测试（标准黑电平）
    P
    OUT
    P
    OUT
    F = 860 MHz的
    F = 860 MHz的
    125
    150
    W
    W
    A D V A N c个E D​​性S E M I C 0 N D ü （C T） Ø R， I N C。
    7525 ETHEL AVENUE
    •
    北好莱坞， CA 91605
    •
    (818) 982-1200
    •
    传真（ 818 ） 765-3004
    特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
    REV 。一
    1/1

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