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型号: TRW54601
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内容描述: NPN硅射频功率晶体管 [NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管射频
文件页数/大小: 1 页 / 55 K
品牌: ASI [ ADVANCED SEMICONDUCTOR ]
   
TRW54601
NPN硅射频功率晶体管
描述:
ASI TRW54601
是专为
通用振荡器
应用程序高达2.3 GHz的。
包装风格.280 4L螺柱
产品特点:
扩散镇流电阻
Omnigold ™
金属化系统
共发射极
最大额定值
I
C
V
CES
P
DISS
T
J
T
英镑
θ
JC
400毫安
50 V
:3.0 W @ T
C
= 25 °C
-65℃ 〜+ 200 ℃,
-65℃ 〜+ 200 ℃,
35 ° C / W
1 = COLLECTOR
2 - 发射极
3 = BASE
特征
符号
BV
首席执行官
BV
CES
BV
EBO
I
CBO
h
FE
C
OB
P
G
vsrw
I
C
= 10毫安
I
C
= 10毫安
I
E
= 1.0毫安
V
CB
= 28 V
V
CE
= 5.0 V
V
CB
= 28 V
T
C
= 25 °C
NONETEST
条件
最小典型最大
22
50
3.5
0.5
单位
V
V
V
mA
---
I
C
= 100毫安
F = 1.0 MHz的
I
C
= 120毫安
F = 2.3 GHz的
20
2.4
8.5
9.5
30:0
3.0
pF
dB
---
V
CE
= 20 V
P
OUT
= 0.5 W
A D V A N c个E D​​性S E M I C 0 N D ü (C T) Ø R, I N C。
7525 ETHEL AVENUE
北好莱坞, CA 91605
(818) 982-1200
传真( 818 ) 765-3004
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
REV 。一
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