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UFT30-28 参数 Datasheet PDF下载

UFT30-28图片预览
型号: UFT30-28
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内容描述: NPN硅射频功率晶体管 [NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管射频
文件页数/大小: 1 页 / 23 K
品牌: ASI [ ADVANCED SEMICONDUCTOR ]
   
UFT30-28
NPN硅射频功率晶体管
描述:
UFT30-28
是专为类
A和B电源Ampliifiers工作
高达500兆赫。
包装样式0.380 4L FLG 。
B
.112 x 45°
A
产品特点:
P
G
=
7.0分贝分钟。在25 W / 400 MHz的
• η
D
= 60 %(典型)
Omnigold ™
金属化系统
S
G
C
D
F
E
D
S
Ø.125 NOM 。
,完全R
J
.125
I
GH
最大额定值
I
D
V
DDS
V
GS
P
DISS
T
J
T
英镑
θ
JC
O
5.0 A
65 V
±40
V
100瓦@ T
C
= 25 C
-65℃至+ 200C
-65
O
C至+150
O
C
1.8
O
C / W
T
C
= 25 C
O
暗淡
A
B
C
D
最低
英寸/毫米
最大
英寸/毫米
.220 / 5.59
.785 / 19.94
.720 / 18.29
.970 / 24.64
.230 / 5.84
.730 / 18.54
.980 / 24.89
.385 / 9.78
O
E
F
G
H
I
J
.240 / 6.10
.004 / 0.10
.085 / 2.16
.160 / 4.06
.006 / 0.15
.105 / 2.67
.180 / 4.57
.280 / 7.11
.255 / 6.48
O
订货编号: ASI10666
特征
符号
V
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS
G
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
P
G
η
D
V
DS
= 28 V
V
GS
= 20 V
V
DS
= 10 V
V
DS
= 10 V
NONETEST
条件
I
DS
= 10毫安
最小典型最大
60
4.0
1.0
单位
V
mA
µ
A
V
mmho
I
D
= 25毫安
I
D
= 500毫安
1.0
500
46
33
6.0
7.0
60
6.0
V
DS
= 28 V
V
GS
= 0 V
F = 1.0 MHz的
pF
V
DD
= 28 V
F = 400 MHz的
I
DQ
= 25毫安
P
OUT
= 25 W
dB
%
A D V A N c个E D​​性S E M I C 0 N D ü (C T) Ø R, I N C。
7525 ETHEL AVENUE
北好莱坞, CA 91605
(818) 982-1200
传真( 818 ) 765-3004
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
REV 。一
1/1