欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

UHBS30-2 参数 Datasheet PDF下载

UHBS30-2图片预览
型号: UHBS30-2
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: NPN硅射频功率晶体管 [NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管射频
文件页数/大小: 1 页 / 18 K
品牌: ASI [ ADVANCED SEMICONDUCTOR ]
   
UHBS30-2
NPN硅射频功率晶体管
描述:
ASI UHBS30-2
是专为
C类, FM基站应用
高达960兆赫。
产品特点:
内部输入匹配网络
P
G
= 7.0分贝30W / 960兆赫
Omnigold ™
金属化系统
包装样式0.230 6L FLG
A
.040x45°
4X 0.025 ř
.115
.430 D
E
.125
G
F
H
I
与信
L
C
B
2XØ.130
最大额定值
I
C
V
CBO
V
首席执行官
V
CES
V
EBO
P
DISS
T
J
T
英镑
θ
JC
9.0 A
50 V
暗淡
最低
英寸/毫米
最大
英寸/毫米
30 V
50 V
4.0 V
100瓦@ T
C
= 25 °C
-65℃ 〜+ 200 ℃,
-65 ° C至+150°C
1.5 ° C / W
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
.355 / 9.02
.115 / 2.92
.075 / 1.91
.225 / 5.72
.090 / 2.29
.720 / 18.29
.970 / 24.64
.355 / 9.02
.004 / 0.10
.120 / 3.05
.160 / 4.06
.230 / 5.84
.365 / 9.27
.125 / 3.18
.085 / 2.16
.235 / 5.97
.110 / 2.79
.730 / 18.54
.980 / 24.89
.365 / 9.27
.006 / 0.15
.130 / 3.30
.180 / 4.57
.260 / 6.60
订货编号: ASI10671
特征
符号
BV
首席执行官
BV
CES
BV
EBO
I
CBO
h
FE
C
ob
P
G
η
C
I
C
= 50毫安
I
C
= 50毫安
I
E
= 10毫安
V
CB
= 15 V
V
CE
= 5.0 V
V
CB
= 24 V
V
CE
= 24 V
T
C
= 25 °C
NONETEST
条件
最小典型最大
30
50
4.0
5.0
单位
V
V
V
mA
---
pF
dB
%
I
C
= 1.0 A
F = 1.0 MHz的
P
OUT
= 30 W
F = 960千兆赫
10
120
50
7.0
50
A D V A N c个E D​​性S E M I C 0 N D ü (C T) Ø R, I N C。
7525 ETHEL AVENUE
北好莱坞, CA 91605
(818) 982-1200
传真( 818 ) 765-3004
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
版本B
1/1