ULBM10 参数 Datasheet PDF下载

型号：	ULBM10
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内容描述：	NPN硅射频功率晶体管 [NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR]
分类和应用：	晶体晶体管射频
文件页数/大小：	2 页 / 21 K
品牌：	ASI [ ADVANCED SEMICONDUCTOR ]

ULBM10

NPN硅射频功率晶体管

描述：

该

ASI ULBM10

是一个金的金属化

专为12.5 RF功率晶体管

在450-512兆赫V， C类应用

频率范围。它是利用发射器

压载高可靠性和

耐用性。

包装风格.280 4L螺柱

45°

产品特点：

•

共射， C类12.5 V

•

= 7.0分贝10 W / 470 MHz的

•

Omnigold ™

金属化系统

最大额定值

CBO

首席执行官

CES

EBO

DISS

英镑

2.5 A

暗淡

最低

英寸/毫米

＃ 8-32 UNC

最大

英寸/毫米

36 V

16 V

36 V

4.0 V

58 W¯¯ @ T

= 25 °C

-65℃ 〜+ 200 ℃，

-65 ° C至+150°C

3.0 ° C / W

1.010 / 25.65

.220 / 5.59

.270 / 6.86

.003 / 0.08

.117 / 2.97

.572 / 14.53

.130 / 3.30

.245 / 6.22

.640 / 16.26

.175 / 4.45

.275 / 6.99

1.055 / 26.80

.230 /5.84

.285 / 7.24

.007 / 0.18

.137 / 3.48

.255 / 6.48

.217 / 5.51

.285 / 7.24

订货编号： ASI10682

特征

符号

首席执行官

CES

EBO

首席执行官

CES

= 20毫安

= 25毫安

= 10毫安

= 15 V

= 10 V

= 5.0 V

= 25 °C

NONETEST

条件

最小典型最大

4.0

2.0

3.0

单位

---

= 1.0 A

150

A D V A N c个E D性S E M I C 0 N D ü （C T） Ø R， I N C。

7525 ETHEL AVENUE

•

北好莱坞， CA 91605

•

(818) 982-1200

•

传真（ 818 ） 765-3004

特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。

版本C

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