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UML125B图片预览
型号: UML125B
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内容描述: NPN硅射频功率晶体管 [NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管射频
文件页数/大小: 1 页 / 22 K
品牌: ASI [ ADVANCED SEMICONDUCTOR ]
   
UML125B
NPN硅射频功率晶体管
描述:
UML125B
是专为类
A, B和C功率放大器工作
在100〜 500 MHz的军乐团。
包装风格.400 8L FLG
发射器 - 4
G
F
E
.1925
.125
H
4× 0.060 ř
I
J
C
D
B
A
产品特点:
P
G
= 7.0分贝最小。在125 W / 400 MHz的
输入匹配网络
Omnigold ™
金属化系统
集电极2处
,完全R
O
K
基地 - 2名额
N
L M
最大额定值
I
C
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
P
DISS
T
J
T
英镑
θ
JC
O
15 A
60 V
33 V
4.0 V
260 W¯¯ @ T
C
= 25
O
C
-65℃至+ 200C
-65
O
C至+150
O
C
0.67 C / W
O
O
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
M
N
O
最低
英寸/毫米
最大
英寸/毫米
.030 / 0.76
.115 / 2.92
.360 / 9.14
.065 / 1.65
.130 / 3.30
.380 / 9.65
.735 / 18.67
.645 / 16.38
.895 / 22.73
.420 / 10.67
.003 / 0.08
.120 / 3.05
.159 / 4.04
.390 / 9.91
.765 / 19.43
.655 / 16.64
.905 / 22.99
.430 / 10.92
.007 / 0.18
.130 / 3.30
.175 / 4.45
.280 / 7.11
.395 / 10.03
.405 / 10.29
.075 / 1.91
.125 / 3.18
订货编号: ASI10699
特征
符号
BV
CBO
BV
CES
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
h
FE
G
P
η
C
G
P
η
C
I
C
= 100毫安
I
C
= 80毫安
I
C
= 50毫安
I
E
= 20毫安
V
CB
= 30 V
V
CE
= 5.0 V
V
CE
= 28 V
V
CE
= 28 V
T
C
= 25
O
C
NONETEST
条件
最小典型最大
60
60
33
4.0
---
---
---
---
---
---
---
---
---
10
---
单位
V
V
V
V
mA
---
dB
%
dB
%
I
C
= 1.0 A
P
OUT
= 125 W
P
OUT
= 100 W
F = 400 MHz的
F = 500 MHz的
20
7.0
60
5.5
55
---
A D V A N c个E D​​性S E M I C 0 N D ü (C T) Ø R, I N C。
7525 ETHEL AVENUE
北好莱坞, CA 91605
(818) 982-1200
传真( 818 ) 765-3004
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
REV 。一
1/1