VFT150-28 参数 Datasheet PDF下载

型号：	VFT150-28
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内容描述：	甚高频功率MOSFET的沟道增强模式 [VHF POWER MOSFET Channel Enhancement Mode]
分类和应用：
文件页数/大小：	1 页 / 22 K
品牌：	ASI [ ADVANCED SEMICONDUCTOR ]

VFT150-28

甚高频功率MOSFET

N沟道增强模式

描述：

该

VFT150-28

是专为一般

B用途类功率放大器

应用高达175兆赫。

包装样式0.500 4L FLG

.112x45°

产品特点：

•

= 10 dB，典型值在175兆赫

•

10 ： 1 VSWR负载

能力

•

Omnigold ™

金属化系统

，完全R

Ø.125 NOM 。

I J

最大额定值

暗淡

最低

英寸/毫米

最大

英寸/毫米

DSS

DISS

英镑

16 A

65 V

±40

300瓦@ T

= 25

-65℃至+ 200C

-65℃至+ 150℃

0.6

C / W

.220 / 5.59

.125 / 3.18

.245 / 6.22

.720 / 18.28

.125 / 3.18

.970 / 24.64

.495 / 12.57

.003 / 0.08

.090 / 2.29

.150 / 3.81

.980 / 24.89

.230 / 5.84

.255 / 6.48

.7.30 / 18.54

.980 / 24.89

.505 / 12.83

.007 / 0.18

.110 / 2.79

.175 / 4.45

.280 / 7.11

1.050 / 26.67

订货编号： 10700 ASI

无

特征

符号

DSS

GSS

GS （ TH）

国际空间站

OSS

RSS

= 25

测试条件

= 100毫安

= 28 V

= 0 V

= 100毫安

= 5 A

= 0 V

= 20 V

= 10 V

最低

典型的最大

5.0

1.0

单位

1.0

3500

375

190

8.5

5.0

= 28 V

= 0 V

= 250毫安

F = 1.0 MHz的

OUT

= 150 W

F = 175 MHz的

SWR

= 10:1

在所有相位角

在输出功率不降低

A D V A N c个E D性S E M I C 0 N D ü （C T） Ø R， I N C。

7525 ETHEL AVENUE

•

北好莱坞， CA 91605

•

(818) 982-1200

•

传真（ 818 ） 765-3004

特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。

REV 。一

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