VFT15-28
甚高频功率MOSFET
N沟道增强模式
描述：
该
VFT15-28
是专为
通用B级电源
放大器的应用高达175兆赫。
包装样式0.380 4L FLG
.112 x 45°
A
产品特点：
•
P
G
= 14 dB典型值。在15 W / 175MHz的
•
10 ： 1 VSWR负载
能力
•
Omnigold ™
金属化系统
B
S
G
C
D
F
E
D
S
Ø.125 NOM 。
，完全R
J
.125
最大额定值
I
D
V
（ BR ） DSS
V
DGR
V
GS
P
DISS
T
J
T
英镑
θ
JC
O
O
I
GH
2.5 A
65 V
65 V
± 40 V
55瓦@ T
C
= 25 C
-65℃至+ 200C
-65℃至+ 150℃
3.2
O
C / W
O
O
O
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
.240 / 6.10
.004 / 0.10
.085 / 2.16
.160 / 4.06
最低
英寸/毫米
最大
英寸/毫米
.220 / 5.59
.785 / 19.94
.720 / 18.29
.970 / 24.64
.230 / 5.84
.730 / 18.54
.980 / 24.89
.385 / 9.78
.006 / 0.15
.105 / 2.67
.180 / 4.57
.280 / 7.11
.255 / 6.48
订货编号： ASI10702
特征
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS
G
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
P
G
η
D
V
GS
= 0 V
V
DS
= 28 V
V
DS
= 0 V
V
DS
= 10 V
V
DS
= 10 V
T
C
= 25
O
C
NONETEST
条件
I
DS
= 5.0毫安
V
GS
= 0 V
V
GS
= 40 V
I
D
= 25毫安
I
D
= 250毫安
最小典型最大
60
---
---
1.0
250
---
---
---
---
---
22
17
3.0
13
50
14
60
---
2.0
1.0
6.0
---
单位
V
mA
µ
A
V
mS
V
GS
= 28 V
V
DS
= 0 V
F = 1.0 MHz的
pF
V
DD
= 28 V
F = 175 MHz的
I
DQ
= 25毫安
P
OUT
= 15 W
dB
%
REV 。一
A D V A N c个E D性S E M I C 0 N D ü （C T） Ø R， I N C。
7525 ETHEL AVENUE
•
北好莱坞， CA 91605
•
(818) 982-1200
•
传真（ 818 ） 765-3004
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
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ASI [ ADVANCED SEMICONDUCTOR ]
