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    VFT30-50 参数 Datasheet PDF下载

    VFT30-50图片预览
    型号： VFT30-50
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 甚高频功率MOSFET N沟道增强模式 [VHF POWER MOSFET N-Channel Enhancement Mode]
    分类和应用： 晶体射频场效应晶体管放大器局域网
    文件页数/大小： 1 页 / 21 K
    品牌： ASI [ ADVANCED SEMICONDUCTOR ]
       
    VFT30-50
    甚高频功率MOSFET
    N沟道增强模式
    描述：
    该
    VFT30-50
    是专为
    通用B级电源
    放大器的应用高达250 MHz 。
    包装样式0.380 4L FLG
    B
    .112 x 45°
    A
    产品特点：
    •
    P
    G
    = 16 dB典型值。在30瓦/ 175兆赫
    •
    η
    D
    =
    60 ％典型值。在30瓦/ 175兆赫
    •
    Omnigold ™
    金属化系统
    F
    S
    G
    C
    D
    E
    D
    S
    Ø.125 NOM 。
    ，完全R
    J
    .125
    最大额定值
    I
    D
    V
    （ BR ） DSS
    V
    DGR
    V
    GS
    P
    DISS
    T
    J
    T
    英镑
    θ
    JC
    6.0 A
    120 V
    120 V
    ±
    40 V
    115 W¯¯ @ T
    C
    = 25
    O
    C
    -65
    O
    C至+200
    O
    C
    -65
    O
    C至+150
    O
    C
    1.52
    O
    C / W
    暗淡
    A
    B
    C
    D
    E
    F
    G
    H
    I
    J
    .240 / 6.10
    .004 / 0.10
    .085 / 2.16
    .160 / 4.06
    最低
    英寸/毫米
    I
    GH
    最大
    英寸/毫米
    .220 / 5.59
    .785 / 19.94
    .720 / 18.29
    .970 / 24.64
    .230 / 5.84
    .730 / 18.54
    .980 / 24.89
    .385 / 9.78
    .006 / 0.15
    .105 / 2.67
    .180 / 4.57
    .280 / 7.11
    .255 / 6.48
    订货编号： ASI10708
    特征
    符号
    V
    （ BR ） DSS
    I
    DSS
    I
    GSS
    V
    GS
    G
    FS
    C
    国际空间站
    C
    OSS
    C
    RSS
    P
    G
    η
    D
    V
    GS
    = 0 V
    V
    GS
    = 0 V
    V
    GS
    = 20 V
    V
    DS
    = 10 V
    V
    GS
    = 10 V
    T
    C
    = 25
    O
    C
    NONETEST
    条件
    I
    DS
    = 10毫安
    V
    DS
    = 50 V
    V
    DS
    = 0 V
    I
    D
    = 10毫安
    I
    D
    = 2.5 A
    最小典型最大
    125
    ---
    ---
    1.0
    800
    ---
    ---
    ---
    ---
    ---
    115
    30.0
    6.5
    15
    50
    16
    60
    ---
    1.0
    100
    5.0
    ---
    单位
    V
    mA
    µ
    A
    V
    mS
    V
    GS
    = 50 V
    V
    DS
    = 0 V
    F = 1.0 MHz的
    pF
    V
    DD
    = 50 V
    F = 175 MHz的
    I
    DQ
    = 100毫安
    P
    OUT
    = 30 W
    dB
    %
    A D V A N c个E D​​性S E M I C 0 N D ü （C T） Ø R， I N C。
    7525 ETHEL AVENUE
    •
    北好莱坞， CA 91605
    •
    (818) 982-1200
    •
    传真（ 818 ） 765-3004
    特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
    REV 。一
    1/1

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