VFT80-28 参数 Datasheet PDF下载

型号：	VFT80-28
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内容描述：	甚高频功率MOSFET N沟道增强模式 [VHF POWER MOSFET N-Channel Enhancement Mode]
分类和应用：
文件页数/大小：	1 页 / 22 K
品牌：	ASI [ ADVANCED SEMICONDUCTOR ]

VFT80-28

甚高频功率MOSFET

N沟道增强模式

描述：

该

VFT80-28

是专为

通用B级电源

放大器的应用高达175兆赫。

包装样式0.380 4L FLG

.112 x 45°

产品特点：

•

= 10 dB，典型值在175兆赫

•

10 ： 1 VSWR负载

能力

•

Omnigold ™

金属化系统

Ø.125 NOM 。

，完全R

.125

最大额定值

DISS

英镑

10 A

暗淡

最低

英寸/毫米

最大

英寸/毫米

60 V

35 V

140瓦特@ T

= 25 C

-65

C至+200

-65℃至+ 150℃

1.5

C / W

.220 / 5.59

.785 / 19.94

.720 / 18.29

.970 / 24.64

.004 / 0.10

.085 / 2.16

.160 / 4.06

.240 / 6.10

.230 / 5.84

.730 / 18.54

.980 / 24.89

.385 / 9.78

.006 / 0.15

.105 / 2.67

.180 / 4.57

.280 / 7.11

.255 / 6.48

订货编号： ASI10705

无

特征

符号

DSS

GSS

GS （ TH）

国际空间站

OSS

RSS

= 25

测试条件

= 100毫安

= 28 V

= 0 V

= 50毫安

= 2 A

= 0 V

= 20 V

= 10 V

最低

典型的最大

5.0

1.0

单位

1.0

1200

105

165

6.0

= 28 V

= 0 V

= 25毫安

F = 1.0 MHz的

OUT

= 80 W

F = 175 MHz的

SWR

= 30:1

在所有相位角

在输出功率不降低

A D V A N c个E D性S E M I C 0 N D ü （C T） Ø R， I N C。

7525 ETHEL AVENUE

•

北好莱坞， CA 91605

•

(818) 982-1200

•

传真（ 818 ） 765-3004

特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。

REV 。一

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