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    VHB1-12T 参数 Datasheet PDF下载

    VHB1-12T图片预览
    型号： VHB1-12T
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： NPN硅射频功率晶体管 [NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR]
    分类和应用： 晶体晶体管射频
    文件页数/大小： 1 页 / 18 K
    品牌： ASI [ ADVANCED SEMICONDUCTOR ]
       
    VHB1-12T
    NPN硅射频功率晶体管
    描述：
    该
    ASI VHB1-12T
    是专为
    C类， 12.5 V高频段应用
    高达175兆赫。
    产品特点：
    •
    C类操作
    •
    P
    G
    = 10分贝1.0W / 175兆赫
    •
    Omnigold ™
    金属化系统
    封装形式TO- 39
    B
    ØA
    45°
    C
    ØD
    E
    最大额定值
    I
    C
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    CER
    V
    EBO
    P
    DISS
    T
    J
    T
    英镑
    θ
    JC
    400毫安
    （最大）
    40 V
    20 V
    40 V
    暗淡
    F
    G
    H
    最低
    英寸/毫米
    最大
    英寸/毫米
    2.0 V
    为3.5W @ T
    C
    = 25 °C
    -65℃ 〜+ 200 ℃，
    -65℃ 〜+ 200 ℃，
    20 ºC / W
    A
    B
    C
    D
    E
    F
    G
    H
    .016 / 0.407
    .029 / 0.740
    .028 / 0.720
    .335 / 8.510
    .305 / 7.750
    .240 / 6.100
    .200 / 5.080
    .045 / 1.140
    .034 / 0.860
    .370 / 9.370
    .335 / 8.500
    .260 / 6.600
    .500 / 12.700
    .020 / 0.508
    订货编号： ASI10711
    特征
    符号
    BV
    首席执行官
    BV
    CER
    BV
    EBO
    I
    首席执行官
    h
    FE
    V
    CE （ SAT ）
    C
    OB
    P
    G
    η
    C
    T
    C
    = 25 °C
    NONETEST
    条件
    I
    C
    = 5.0毫安
    I
    C
    = 5.0毫安
    I
    E
    = 100
    µA
    V
    CE
    = 12 V
    V
    CE
    = 5.0 V
    I
    C
    = 100毫安
    V
    CB
    = 12.5 V
    V
    CE
    = 12.5 V
    P
    OUT
    = 1.0 W
    I
    C
    = 100毫安
    I
    B
    = 20毫安
    F = 1.0 MHz的
    F = 175 MHz的
    R
    BE
    = 10
    Ω
    最小典型最大
    20
    40
    2.0
    0.2
    10
    200
    0.5
    4.0
    10
    60
    单位
    V
    V
    V
    mA
    ---
    VDC
    pF
    dB
    %
    A D V A N c个E D​​性S E M I C 0 N D ü （C T） Ø R， I N C。
    7525 ETHEL AVENUE
    •
    北好莱坞， CA 91605
    •
    (818) 982-1200
    •
    传真（ 818 ） 765-3004
    特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
    版本B
    1/1

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