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    VHB10-12F 参数 Datasheet PDF下载

    VHB10-12F图片预览
    型号： VHB10-12F
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： NPN硅射频功率晶体管 [NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR]
    分类和应用： 晶体晶体管射频
    文件页数/大小： 1 页 / 21 K
    品牌： ASI [ ADVANCED SEMICONDUCTOR ]
       
    VHB10-12F
    NPN硅射频功率晶体管
    描述：
    该
    ASI VHB10-12F
    是专为
    包装样式0.380 4L FLG
    B
    .112 x 45°
    A
    Ø.125 NOM 。
    ，完全R
    J
    .125
    产品特点：
    •
    •
    •
    Omnigold ™
    金属化系统
    最大额定值
    I
    C
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    CES
    V
    EBO
    P
    DISS
    T
    J
    T
    英镑
    θ
    JC
    2.0 A
    36 V
    18 V
    36 V
    4.0 V
    20瓦@ T
    C
    = 25 C
    -65
    O
    C至+200
    O
    C
    -65℃至+ 150℃
    8.8
    O
    C / W
    O
    O
    O
    暗淡
    A
    B
    C
    D
    E
    F
    G
    H
    I
    J
    .240 / 6.10
    .004 / 0.10
    .085 / 2.16
    .160 / 4.06
    最低
    英寸/毫米
    C
    D
    F
    E
    H I
    G
    最大
    英寸/毫米
    .220 / 5.59
    .785 / 19.94
    .720 / 18.29
    .970 / 24.64
    .230 / 5.84
    .730 / 18.54
    .980 / 24.89
    .385 / 9.78
    .006 / 0.15
    .105 / 2.67
    .180 / 4.57
    .280 / 7.11
    .255 / 6.48
    订货编号： ASI10712
    特征
    符号
    BV
    首席执行官
    BV
    CES
    BV
    EBO
    I
    CBO
    h
    FE
    C
    OB
    P
    G
    η
    C
    I
    C
    = 15毫安
    I
    C
    = 50毫安
    T
    C
    = 25 C
    O
    NONETEST
    条件
    最小典型最大
    18
    36
    4.0
    1.0
    单位
    V
    V
    V
    mA
    ---
    pF
    dB
    I
    E
    = 2.5毫安
    V
    CB
    = 12.5 V
    V
    CE
    = 5.0 V
    V
    CB
    = 12.5 V
    V
    CC
    = 12.5 V
    P
    OUT
    = 10 W
    I
    C
    = 250毫安
    F = 1.0 MHz的
    F = 175 MHz的
    5.0
    200
    45
    10
    60
    %
    A D V A N c个E D​​性S E M I C 0 N D ü （C T） Ø R， I N C。
    7525 ETHEL AVENUE
    •
    北好莱坞， CA 91605
    •
    (818) 982-1200
    •
    传真（ 818 ） 765-3004
    特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
    REV 。一
    1/1

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