VHB50-28S 参数 Datasheet PDF下载

型号：	VHB50-28S
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内容描述：	NPN硅射频功率晶体管 [NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR]
分类和应用：	晶体射频双极晶体管放大器
文件页数/大小：	2 页 / 20 K
品牌：	ASI [ ADVANCED SEMICONDUCTOR ]

VHB50-28S

NPN硅射频功率晶体管

描述：

该

ASI VHB50-28S

是一个NPN

功率晶体管专为25 V

C类地面站发射器，它

利用发射极镇流和黄金

金属化以提供最佳的

VSWR能力。

包装样式0.380 4L螺柱

.112x45°

ØC

产品特点：

•

共发射极

•

= 6.0分贝在50W / 175兆赫

•

Omnigold ™

金属化系统

•

= 7.0分贝60W / 150兆赫

＃ 8-32 UNC -2A

最大额定值

暗淡

最低

英寸/毫米

最大

英寸/毫米

CBO

首席执行官

EBO

DISS

英镑

6.5 A

65 V

35 V

4.0 V

75W

-65℃ 〜+ 200 ℃，

-65 ° C至+150°C

2.3 ° C / W

.220 / 5.59

.980 / 24.89

.370 / 9.40

.004 / 0.10

.320 / 8.13

.100 / 2.54

.450 / 11.43

.090 / 2.29

.155 / 3.94

.230 / 5.84

.385 / 9.78

.007 / 0.18

.330 / 8.38

.130 / 3.30

.490 / 12.45

.100 / 2.54

.175 / 4.45

.750 / 19.05

订货编号： ASI10730

特征

符号

首席执行官

CES

EBO

CBO

= 25 °C

NONETEST

条件

= 200毫安

= 10毫安

= 30 V

= 5.0 V

= 28 V

= 500毫安

F = 1.0 MHz的

最小典型最大

4.0

2.0

150

单位

---

A D V A N c个E D性S E M I C 0 N D ü （C T） Ø R， I N C。

7525 ETHEL AVENUE

•

北好莱坞， CA 91605

•

(818) 982-1200

•

传真（ 818 ） 765-3004

特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。

版本C

1/2

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