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VLB40-12F 参数 Datasheet PDF下载

VLB40-12F图片预览
型号: VLB40-12F
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内容描述: NPN硅射频功率晶体管 [NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体射频双极晶体管放大器局域网
文件页数/大小: 1 页 / 21 K
品牌: ASI [ ADVANCED SEMICONDUCTOR ]
   
VLB40-12F
NPN硅射频功率晶体管
描述:
ASI VLB40-12F
是专为
包装样式0.380 4L FLG
B
.112 x 45°
A
Ø.125 NOM 。
,完全R
J
.125
产品特点:
Omnigold ™
金属化系统
C
D
F
E
H I
最大额定值
I
C
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
P
DISS
T
J
T
英镑
θ
JC
5.0 A
36 V
18 V
4.0 V
70瓦@ T
C
= 25 C
-65
O
C至+200
O
C
-65
O
C至+150
O
C
2.5
O
C / W
T
C
= 25 C
O
暗淡
A
B
C
D
E
最低
英寸/毫米
G
最大
英寸/毫米
.220 / 5.59
.785 / 19.94
.720 / 18.29
.970 / 24.64
.230 / 5.84
.730 / 18.54
.980 / 24.89
.385 / 9.78
O
F
G
H
I
J
.004 / 0.10
.085 / 2.16
.160 / 4.06
.006 / 0.15
.105 / 2.67
.180 / 4.57
.280 / 7.11
.240 / 6.10
.255 / 6.48
订货编号: ASI10735
特征
符号
BV
CBO
BV
CES
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CES
h
FE
C
OB
G
P
η
C
I
C
= 50毫安
I
C
= 50毫安
I
C
= 50毫安
I
E
= 10毫安
NONETEST
条件
最小典型最大
36
36
18
4.0
5.0
单位
V
V
V
V
mA
---
pF
dB
V
CE
= 12.5 V
V
CE
= 5.0 V
V
CB
= 12.5 V
V
CC
= 12.5 V
P
OUT
= 40 W
I
C
= 5.0 A
F = 1.0 MHz的
F = 50MHz的
13
60
20
200
100
%
A D V A N c个E D​​性S E M I C 0 N D ü (C T) Ø R, I N C。
7525 ETHEL AVENUE
北好莱坞, CA 91605
(818) 982-1200
传真( 818 ) 765-3004
规格若有变更, wiothout通知。
REV 。一
1/1