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5962-3826705MZX 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 5962-3826705MZX
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内容描述: 分页1兆位( 128K ×8 )并行的EEPROM [1-Megabit (128K x 8) Paged Parallel EEPROMs]
分类和应用: 内存集成电路可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
文件页数/大小: 16 页 / 599 K
品牌: ATMEL [ ATMEL CORPORATION ]
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一旦设定, SDP将保持活跃,除非在发出禁止命令序列。电源跃迁
系统蒸发散不要禁用SDP和SDP将保护在上电和掉电的AT28C010
条件。所有的命令序列必须符合页写时序规范。该
在启用和禁用命令序列的数据不被写入到所述设备和所述存储器
该序列中使用的地址可以写入与在任一字节或页写操作的数据
化。
SDP设置后,任何试图写入设备没有3个字节的命令序列将
启动内部写定时器。没有数据将被写入到设备;然而,对于持续时间
t
WC
读操作将是有效的轮询操作。
设备标识:
提供给用户的额外的128字节的EEPROM存储器
设备识别。通过提高A9至12V
±
0.5V和使用地址位置1FF80H到
1FFFFH字节可以被写入或读出相同的方式作为常规存储器
数组。
可选的芯片擦除模式:
整个设备可以使用一个6字节的软件被删除
代码。请参阅软件芯片擦除应用笔记的详细信息。
直流和交流工作范围
AT28C010-12
操作
温度(外壳)
V
CC
电源
米尔。
-55°C - 125°C
5V
±
10%
AT28C010-15
-55°C - 125°C
5V
±
10%
AT28C010-20
-55°C - 125°C
5V
±
10%
AT28C010-25
-55°C - 125°C
5V
±
10%
操作模式
模式
(2)
待机/写禁止
写禁止
写禁止
输出禁用
注意事项:
CE
V
IL
V
IL
V
IH
X
X
X
1, X可以为VIL或VIH 。
OE
V
IL
V
IH
X
(1)
X
V
IL
V
IH
WE
V
IH
V
IL
X
V
IH
X
X
高Z
I / O
D
OUT
D
IN
高Z
2.参考AC编程波形
DC特性
符号
I
LI
I
LO
I
SB1
I
SB2
I
CC
V
IL
参数
输入负载电流
输出漏电流
V
CC
待机电流CMOS
V
CC
待机电流TTL
V
CC
工作电流
输入低电压
条件
V
IN
= 0V至V
CC
+ 1V
V
I / O
= 0V至V
CC
CE = V
CC
- 0.3V至V
CC
+ 1V
CE = 2.0V至V
CC
+ 1V
F = 5 MHz的;我
OUT
= 0毫安
最大
10
10
300
3
80
0.8
单位
μA
μA
μA
mA
mA
V
4
AT28C010军事
0010D–PEEPR–7/09