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AT24C08BN-SH-T 参数 Datasheet PDF下载

AT24C08BN-SH-T图片预览
型号: AT24C08BN-SH-T
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内容描述: 两线串行EEPROM 4K ( 512 ×8 ) 8K ( 1024 ×8 ) [Two-wire Serial EEPROM 4K (512 x 8) 8K (1024 x 8)]
分类和应用: 存储内存集成电路光电二极管可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟
文件页数/大小: 26 页 / 685 K
品牌: ATMEL [ ATMEL CORPORATION ]
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AT24C04B/08B
6.设备寻址
在4K
和8K
EEPROM器件需要
一个8位
设备
地址
字以下
a
启动条件
化,使该芯片为
a
读或写操作(参照
设备
地址
字由
a
强制性的,零序的前四个最显
着的
比特
如图所示。这是常见的
所有
在EEPROM器件。
在4K EEPROM只使用A2
A1设备
地址位
与第三
位是一个
内存
页面
地址位。
这两个装置
地址位
必须比较它们的相应的硬接线
输入引脚。 A0引脚没有连接。
8K
EEPROM只使用A2器件
地址位
与下一个2
位是
对于内存
页面
寻址。
在A2必须比较其相应的硬连线输入引脚。在A1
A0引脚
无连接。
对于
SOT23
包装发售:
在4K EEPROM软件A2
A1
在该装置
地址
Word必须
be
设置为零,以
正常通信。
8K
EEPROM软件A2
在该装置
地址
Word必须
be
集到零,以正确
通信。
7.写操作
写字节:
写操作需要
一个8位
数据字
地址
该设备以下
地址
和确认。
在收到这个
地址
EEPROM中会
再次
与应对
a
然后时钟中的第一个
8-bit
数据字。在收到的
8-bit
数据
总之, EEPROM将输出
a
地址
装置,例如
作为
微控制器,
必须终止与写序列
a
停止条件。此时EEPROM进入
an
内部定时写周期,T
WR
到非易失性存储器。所有输入
在此期间禁用
写周期
该EEPROM不会响应,直到写操作完成(见
页写:
在4K / 8K的EEPROM
能实现16字节页写。
一个页面写入启动相同
作为一个字节
写,
单片机不发
a
停止
条件
第一个数据字被时钟,而是
该EEPROM
承认
收到第一个数据字,微控制器可以传输多达15个数据字。该
EEPROM将响应
a
收到的每个数据字。单片机必须三 -
minate与页写操作
a
停止条件(见
数据字
地址
低四位
在内部增加每接收一组的
数据字。更高的数据字
地址位是
不递增,保持存储器的页
行位置。当字
地址
内部产生,达到页
边界,
在跟着
降脂
字节
放置
at
开始
在同一页的。如果超过16个数据字
传递到EEPROM中,数据字
地址
将“翻身”
以前的数据将会
be
覆盖。
确认查询:
一旦内部定时写周期已经开始
EEPROM输入
禁用,
应答
投票可
be
发起。这包括发送
a
起始条件
by
设备
地址
字。读/写
具有代表性的
操作所需。只有当内部写周期结束的EEPROM与回应
a
允许
在读取或写入顺序继续。
9
5226D–SEEPR–7/08