特点
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快速读取访问时间 - 150纳秒
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自动页写操作
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- 内部地址和数据锁存为64字节
快速写周期时间
- 页写周期时间： 10 ms最大
- 1到64字节页写操作
低功耗
- 40毫安工作电流
- 100 μA CMOS待机电流
硬件和软件数据保护
数据轮询和切换位写检测结束
高可靠性的CMOS技术
- 耐力： 100,000次
- 数据保存：10年
单5V
±
10 ％供应
CMOS和TTL兼容输入和输出
JEDEC批准字节宽引脚
商用和工业温度范围
描述
该AT28C64B是一个高性能的电可擦除和可编程读
只读存储器（ EEPROM）中。它的内存64K是由8位， 8,192字。
与Atmel先进的非易失性CMOS技术，该器件还提供制造
访问时间为150 ns的只有220毫瓦的功耗。当该装置是
取消选择，在CMOS待机电流小于100微安。
（续）
64K （ 8K ×8 ）
并行
与EEPROM
页写和
软件数据
保护
AT28C64B
销刀豆网络gurations
引脚名称
A0 - A12
CE
OE
WE
I / O0 - I / O7
NC
DC
功能
地址
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
数据输入/输出
无连接
不连接
PLCC
顶视图
A7
A12
NC
DC
VCC
WE
NC
PDIP ， SOIC
顶视图
NC
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
I/O1
I/O2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
VCC
WE
NC
A8
A9
A11
OE
A10
CE
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
TSOP
顶视图
OE
A11
A9
A8
NC
WE
VCC
NC
A12
A7
A6
A5
A4
A3
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
A10
CE
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
GND
I/O2
I/O1
I/O0
A0
A1
A2
I/O1
I/O2
GND
DC
I/O3
I/O4
I/O5
14
15
16
17
18
19
20
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
NC
I/O0
5
6
7
8
9
10
11
12
13
4
3
2
1
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
A8
A9
A11
NC
OE
A10
CE
I/O7
I/O6
牧师0270H -九十九分之一十二
注意：
PLCC封装引脚1和17
不要连接。
1
ATMEL [ ATMEL CORPORATION ]
