特点
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快速读取访问时间 - 150纳秒
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自动页写操作
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- 内部地址和数据锁存为64字节
快速写周期时间
- 页写周期时间： 10 ms最大（标准）
2 ms最大（选项 - 参考AT28HC64BF数据表）
- 1到64字节页写操作
低功耗
- 40毫安工作电流
- 100 μA CMOS待机电流
硬件和软件数据保护
数据轮询和切换位写检测结束
高可靠性的CMOS技术
- 耐力： 100,000次
- 数据保存：10年
单5V
±10%
供应
CMOS和TTL兼容输入和输出
JEDEC批准字节宽引脚
工业温度范围
绿色（无铅/无卤化物）的包装选项
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64K （ 8K ×8 ）
并行
与EEPROM
页写和
软件数据
保护
AT28C64B
1.描述
该AT28C64B是一个高性能的电可擦除和可编程只读
只读存储器（ EEPROM）中。它的内存64K是由8位， 8,192字。
与Atmel先进的非易失性CMOS技术，该器件还提供制造
访问时间为150 ns的只有220毫瓦的功耗。当该装置是
取消选择，在CMOS待机电流小于100微安。
该AT28C64B是一样的读或写周期中的静态RAM ，而不访问
需要的外部元件。该器件包含一个64字节页寄存器允许
同时写入的最多64个字节。在写周期中，地址和1〜
64个字节的数据被内部地锁存，从而释放地址和数据总线，用于其他
操作。下面的写周期开始时，设备会自动写入
使用一个内部的定时器控制的锁存数据。在写入周期结束时可
通过I / O7数据轮询检测。一旦写周期结束时一直
检测到的，对于一个读或写一个新的访问就可以开始。
爱特梅尔AT28C64B有额外的功能，以确保高品质和manufacturabil-
性。该器件采用延长续航能力以及完善的内部纠错
数据保持特性。一个可选的软件数据保护机制
可防范意外写操作。该装置还包括一个额外的
64字节的EEPROM器件识别和跟踪。
0270K–PEEPR–10/06
ATMEL [ ATMEL CORPORATION ]
