特点
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单2.7V - 3.6V电源
串行外设接口（SPI ）兼容
20 MHz的最大时钟频率
页编程操作
- 单周期重新编程（擦除和编程）
- 512页（ 264字节/页）主内存
支持页和块擦除操作
一个264字节的SRAM数据缓冲区
通过整个阵列连续读取功能
- 理想的代码映射应用程序
快速页编程时间 - 7毫秒典型
120 μs的典型页面来缓冲传输时间
低功耗
- 4毫安有效的读电流典型
- 2 μA CMOS待机电流典型
硬件数据保护功能
100 ％兼容AT45DB011
商用和工业温度范围
绿色（无铅/无卤化物）包装选项
1-megabit
2.7伏只
数据闪存
®
AT45DB011B
描述
该AT45DB011B是2.7伏只，串行接口闪存非常适合
各种各样的数字支持语音，图像 - ，程序代码和数据存储应用。
其1081344位存储器组织为512页，每页264字节。此外
灰到主存储器中， AT45DB011B还包含264一个SRAM数据缓冲区
字节。该缓冲器允许接收数据，而在主存储器中的页面正被
重新编程。 EEPROM仿真（位或字节变性）很容易与处理
自包含三个步骤的读 - 修改 - 写操作。不同于传统的闪存
了与多个地址线和平行随机访问的存储器接口
面，该数据闪存使用SPI串行接口以顺序地存取其数据。 SPI
模式0和模式3的支持。简单的串行接口便于硬件
销刀豆网络gurations
引脚名称
CS
SCK
SI
SO
WP
RESET
RDY / BUSY
功能
芯片选择
串行时钟
串行输入
C
A
CBGA顶视图
通过包装
1
2
3
SCK
GND
VCC
B
CS RDY / BSY WP
SO
SI
RESET
串行输出
硬件页
写保护引脚
芯片复位
就绪/忙
SOIC
SI
SCK
RESET
CS
1
2
3
4
8
7
6
5
SO
GND
VCC
WP
TSSOP顶视图
类型1
RDY / BUSY
RESET
WP
VCC
GND
SCK
SO
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
CS
NC
NC
NC
NC
NC
SI
AT45DB011B
初步16-
兆位2.7伏
只有串行
数据闪存
牧师1984H - DFLSH - 10/04
1
ATMEL [ ATMEL CORPORATION ]
