特点
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单2.7V - 3.6V电源
串行外设接口（SPI ）兼容
20 MHz的最大时钟频率
页编程操作
- 单周期重新编程（擦除和编程）
- 1024页（ 264字节/页）主内存
支持页和块擦除操作
两个264字节的SRAM数据缓冲区 - 允许接收数据
而非易失性存储器重新编程
通过整个阵列连续读取功能
- 理想的代码映射应用程序
低功耗
- 4毫安有效的读电流典型
- 2 μA CMOS待机电流典型
硬件数据保护功能
100 ％兼容AT45DB021和AT45DB021A
5.0V容错输入： SI ， SCK ， CS ， RESET和WP引脚
商用和工业温度范围
绿色（无铅/无卤化物/ RoHS标准）的包装选项
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2-megabit
2.7伏只
数据闪存
®
AT45DB021B
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1.描述
该AT45DB021B是2.7伏只，串行接口闪存非常适合
各种各样的数字支持语音，图像 - ，程序代码和数据存储应用。
其2162688位存储器组织为1024页，每页264字节。此外
灰到主存储器中， AT45DB021B还包含两个SRAM数据缓冲区
每264个字节。该缓冲器允许同时在主MEM-页面接收数据
储器进行重新编程，以及读取或写入一个连续的数据流。
EEPROM仿真（位或字节变性）很容易与自我处理
包含三个步骤的读 - 修改 - 写操作。不同于传统的闪存
了与多个地址线和平行随机访问的存储器接口
面，该数据闪存使用SPI串行接口以顺序地存取其数据。
数据闪存支持SPI模式0和模式3。简单的串行接口功能有助于
硬件布局，提高了系统的可靠性，减少开关噪声，并降低了
封装尺寸和积极的引脚数。该设备是在许多商业用应用进行了优化
CIAL和工业应用中，高密度，低引脚数，低电压和低
电源是必不可少的。该器件工作的时钟频率高达20 MHz的带
为4 mA典型有效的读电流消耗。
为了让简单的系统内可再编程，该AT45DB021B不需要
高输入电压进行编程。该器件采用单电源供电，
2.7V至3.6V ，为节目和读取操作。该AT45DB021B启用
通过芯片选择引脚（CS ），并通过三线接口，由访问
串行输入（ SI ） ，串行输出（ SO ）和串行时钟（ SCK ） 。
所有的编程周期是自定时，之前没有单独的擦除周期是必需的
编程。
当设备从爱特梅尔，存储器中最显著页运
阵列可以不会被擦除。换句话说，在最后一页中的内容可能并不
充满FFH 。
1937J–DFLSH–9/05
ATMEL [ ATMEL CORPORATION ]
