特点
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单2.5V - 3.6V或2.7V - 3.6V电源
串行外设接口（SPI ）兼容
20 MHz的最大时钟频率
页编程操作
- 单周期重新编程（擦除和编程）
- 2048页（ 264字节/页）主内存
支持页和块擦除操作
两个264字节的SRAM数据缓冲区 - 允许接收数据
而重新编程的闪存阵列
通过整个阵列连续读取功能
- 理想的代码映射应用程序
低功耗
- 4毫安有效的读电流典型
- 2 μA CMOS待机电流典型
硬件数据保护功能
5.0V容错输入： SI ， SCK ， CS ， RESET和WP引脚
商用和工业温度范围
绿色（无铅/无卤化物/ RoHS标准）封装选项
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4-megabit
2.5伏或
2.7-volt
数据闪存
®
AT45DB041B
1.描述
该AT45DB041B是一个SPI兼容串行接口闪存非常适合
对于各种各样的数字支持语音，图像 - ，程序代码和数据存储应用的
系统蒸发散。其4325376位存储器组织为2048页，每页264字节。在
除了主存储器，所述AT45DB041B还包含两个SRAM数据缓冲区
每264个字节。
数据的缓冲器允许接收，而在主存储器中的页面是被重现
编程，以及读取或写入一个连续的数据流。 EEPROM仿真
（位或字节变性）被容易地与一个自包含三个步骤的读 - 修改处理
写操作。不同于与随机访问的普通闪存
多个地址线和并行接口，所述数据闪存使用SPI串行接口
面对以顺序地存取其数据。数据闪存支持SPI模式0和模式3。
简单的串行接口，方便硬件的布局，提高了系统的可靠性，迷你
mizes开关噪声，并减少封装尺寸和积极的引脚数。该装置是
用在许多商业和工业应用中，高密度进行优化，
低引脚数，低电压和低功耗是至关重要的。该器件工作的时钟
频率高达20MHz具有典型的活性读为4 mA的电流消耗。
为了让简单的系统内可再编程，该AT45DB041B不需要
高输入电压进行编程。该器件采用单电源供电，
2.5V至3.6V或2.7V至3.6V ，为节目和读取操作。该
AT45DB041B通过芯片选择引脚（CS ）使能，并经由三访问
线材接口，包括串行输入（ SI ）中，串行输出（ SO ）和串行
时钟（ SCK ） 。
所有的编程周期是自定时，之前没有单独的擦除周期是必需的
编程。
3443C–DFLSH–5/05
ATMEL [ ATMEL CORPORATION ]
