AT45DB041B
加载到该设备。之后的操作码的最后一位被移位，则8位的
状态寄存器，从最高位（第7位） ，将在移出SO引脚
接下来的8个时钟周期。状态寄存器的五个最显著位将包含
设备的信息，而剩余的三个最小显著位被保留以供将来
使用，将有未定义的值。后位的状态寄存器的0已转移
出，该序列将重演（只要CS仍然很低， SCK正在瓶酒
GLED ）与第7位在状态寄存器中的数据重新开始不断更新，所以
每个重复序列将输出新的数据。
状态寄存器的格式
第7位
RDY / BUSY
第6位
COMP
第5位
0
4位
1
第3位
1
第2位
1
第1位
X
位0
X
Ready / Busy状态是使用位状态寄存器的第7所示。如果第7位是1，则
设备不忙，并准备接受下一个命令。如果第7位是0，则
设备处于忙状态。用户可以通过不断地轮询位的状态寄存器的第7
在低电平停止SCK一旦第7位被输出。第7位的状态将继续
要对SO引脚输出，一旦设备不再忙，所以国家将
改变从0到1有八个操作可导致设备是在一个
忙碌的状态：主内存页，以缓冲传输，主存储器页到缓冲器的COM
削，缓冲到主存储器页编程带内置擦除，缓冲到主内存
页面程序没有内置擦除，页擦除，块擦除，主存储器页
程序，自动页重写。
最近期的主存储器页的结果缓冲区比较操作指示，后跟
在状态寄存器的第6位标识。如果第6位是0，则在主存储器中的数据
页面匹配在缓冲器中的数据。如果第6位是1时，在数据的话，至少一个位
主存储器页不存在于缓冲器匹配的数据。
器件密度使用比特5 ， 4,3和2中的状态寄存器的指示。对于
AT45DB041B ，四个位是0， 1,1和1。这四个二进制位的十进制值
并不等同于该设备的密度;四个位表示一个组合码
有关的串行数据闪存器件不同的密度，从而总共16个昼夜温差
同的密度配置。
编程和擦除
COMMANDS
缓冲区写：
数据可以从SI引脚移入到无论是缓冲器1或缓冲区2 。
将数据加载到任何的缓冲区，一个8位的操作码， 84H缓冲区1 87H缓冲区2 ，必须
跟着15不在乎位和9位地址（ BFA8 - BFA0 ） 。九
地址位用于指定要被写入在缓冲器中的第一个字节。的数据被输入之后
的地址位。如果数据缓冲区的末尾为止，该装置将环绕
备份到缓冲区的开始。数据将继续被加载到缓冲器中，直到
低到高的转变上检测到CS引脚。
缓冲区带内置擦除主存储器页编程：
数据写入
入任一缓冲器1或缓冲液2可以被编程到主存储器中。要启动
操作中，一个8位的操作码， 83H为缓冲器1或86H缓冲区2中，必须遵循由
4保留位， 11位地址（ PA10 - PA0 ） ，在主指定的页面
存储器的写入，并且附加不在乎9位。当低到高的转变
发生在CS引脚，该部分将首先删除在主存储所选择的页面为全1
然后程序存储在缓冲器中复制到指定的页面在主MEM-数据
ORY 。无论是擦除和页编程在内部自定时的
应于吨的最大时间
EP
。在此期间，状态寄存器将indi-
美食，该部分正忙。
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1938F–DFLSH–10/02
ATMEL [ ATMEL CORPORATION ]
