特点
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单2.7 - 3.6V电源
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急流
™
串行接口: 40 MHz最大时钟频率
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( SPI模式0和3个兼容频率高达33 MHz的)
页编程
- 8192页( 528字节/页)
自动擦除操作
- 页擦除528字节
- 块擦除4224字节
两个528字节的SRAM数据缓冲区 - 允许接收数据
而重新编程的闪存阵列
通过整个阵列连续读取功能
- 理想的代码映射应用程序
低功耗
- 10毫安有效的读电流典型
- 6 μA待机电流典型
硬件和软件数据保护功能
- 个别部门锁定
安全性: 128字节安全寄存器
- 64字节的用户可编程空间
- 唯一的64字节的设备标识符
JEDEC标准制造商和设备ID读
100000编程/擦除周期每页最低
数据保留 - 20岁
商用和工业温度范围
绿色(无铅/无卤化物/ RoHS标准)的包装选项
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32-megabit
2.7伏
数据闪存
®
AT45DB321C
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1.描述
该AT45DB321C是一个SPI兼容的串行接口闪存非常适合
用于各种数字支持语音,图像 - ,程序代码和数据 - 的
存储的应用程序。该AT45DB321C支持被称为4线串行接口
急流的要求非常高的速度操作的应用程序。
它的34603008位的存储器被组织为8192页,每页528字节。在
除了在33兆位主存储器中, AT45DB321C还包含两个SRAM
每528字节的缓冲区。
缓冲区允许数据的接收,同时在主内存页面一个页面被
重新编程,以及写入一个连续的数据流。 EEPROM仿真(位
或字节变性)被容易地与一个自包含三个步骤的读 - 修改 - 写处理
操作。不同于与mul-随机访问的传统闪存
tiple地址线和并行接口,在数据闪存采用的是串行急流
接口以顺序地存取其数据。简单的顺序存取大幅
主动减少引脚数,简化硬件设计,提高了系统的可靠性, MIN-
imizes开关噪声,并降低了封装尺寸。该设备在使用的优化
许多商业和工业应用中,高密度,低引脚数,低
电压和低功耗是必不可少的。该器件工作的时钟频率高达
40兆赫与10 mA的典型有效的读电流消耗。
3387L–DFLASH–6/06