特点
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单电压读/写操作： 2.65V至3.6V
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访问时间 - 70纳秒
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扇区擦除架构
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- 六十三32K字（ 64K字节）部门与独立的写锁定
- 八4K字（ 8K字节）部门与独立的写锁定
快字编程时间 - 12微秒
快速扇区擦除时间 - 300毫秒
暂停/恢复功能的擦除和编程
- 支持读取和编程的任何一个部分，通过暂停擦除
不同部门
- 支持读取任何字节/字，在通过暂停非悬浮部门
任何其他字节/字编程
低功耗工作
- 12毫安活动
- 13 μA待机
数据轮询，触发位，就绪/忙的检测程序结束
VPP引脚为写保护
RESET输入的设备初始化
部门锁定支持
TSOP和CBGA封装选项
顶部或底部启动块配置可用
128位注册保护
最少100,000次擦写循环
通用闪存接口（ CFI ）
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32-megabit
（ 2M ×16 / 4M ×8 ）
3伏只
FL灰内存
AT49BV322A
AT49BV322AT
描述
该AT49BV322A （ T）是组织为2,097,152 2.7伏32兆位闪存
也就是说，每行16位或4,194,304字节，每字节8位。在X16的数据出现在I / O0
- I / O15 ;在X8的数据出现在I / O0 - I / O7 。该存储器被分成71扇区为
擦除操作。该器件采用48引脚TSOP和48球CBGA封装
年龄。该设备具有CE和OE控制信号，以避免任何总线争用。这
器可读取或使用单一电源重新编程，使其理想地
适用于在系统编程。
销刀豆网络gurations
引脚名称
A0 - A20
CE
OE
WE
RESET
RDY / BUSY
VPP
I / O0 - I / O14
I / O15 （ A- 1 ）
字节
NC
功能
地址
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
RESET
READY / BUSY输出
写保护
数据输入/输出
I / O15 （数据输入/输出，字模式）
A- 1 （ LSB地址输入，字节模式）
选择字节或字模式
无连接
3308H–FLASH–5/04
1
ATMEL [ ATMEL CORPORATION ]
