特点
•
单电压读/写操作： 2.65V至3.6V
•
访问时间 - 70纳秒
•
扇区擦除架构
- 六十三32K字（ 64K字节）部门与独立的写锁定
- 八4K字（ 8K字节）部门与独立的写锁定
快字编程时间 - 10微秒
快速扇区擦除时间 - 100毫秒
暂停/恢复功能的擦除和编程
- 支持读取和编程的任何一个部分，通过暂停擦除
不同部门
- 支持读取任何字节/字，在通过暂停非悬浮部门
任何其他字节/字编程
低功耗工作
- 10毫安活动
- 15 μA待机
数据轮询，触发位，就绪/忙的检测程序结束
VPP引脚为写保护和加速程序运行
RESET输入的设备初始化
部门锁定支持
TSOP和CBGA封装选项
顶部或底部启动块配置可用
128位注册保护
最少100,000次擦写循环
通用闪存接口（ CFI ）
•
•
•
•
32-megabit
（ 2M ×16 / 4M ×8 ）
3伏只
FL灰内存
AT49BV322D
AT49BV322DT
•
•
•
•
•
•
•
•
•
1.描述
该AT49BV322D （ T）是组织为2,097,152 2.7伏32兆位闪存
也就是说，每行16位或4,194,304字节，每字节8位。在x16的数据出现在
I / O0 - I / O15 ;在X8的数据出现在I / O0 - I / O7 。所述存储器被划分成71仲
器进行擦除操作。该器件采用48引脚TSOP和48球
CBGA封装。该装置具有CE及OE控制信号，以避免任何总线conten-
化。此设备可被读取或使用单一的电源重新编程，使得它
非常适合用于在系统编程。
在读出模式的设备通电。命令序列被用来放置
设备在其它的操作模式，如编程和擦除。该设备具有
能力，以保护数据中的任何部分（见
为了增加设备的灵活性，它包含一个擦除挂起和程序
挂起功能。此功能将把擦除或编程搁置任何金额
时间，并让用户读取数据或程序数据的任何剩余的扇区
内的存储器中。一个程序或一擦除周期结束时由检测
就绪/忙脚，数据轮询或切换位。
3582B–FLASH–11/05
ATMEL [ ATMEL CORPORATION ]
