特点
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单电压读/写操作： 2.65V至3.6V
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快速读取访问时间 - 70纳秒
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扇区擦除架构
- 三十一32K字（ 64K字节）部门与独立的写锁定
- 八4K字（ 8K字节）部门与独立的写锁定
快字编程时间 - 10微秒
快速扇区擦除时间 - 100毫秒
暂停/恢复功能的擦除和编程
- 支持读取和编程的任何一个部分，通过暂停擦除
不同部门
- 支持读取任何字节/字，在通过暂停非悬浮部门
任何其他字节/字编程
低功耗工作
- 10毫安活动
- 15 μA待机
数据轮询，触发位，就绪/忙的检测程序结束
RESET输入的设备初始化
部门锁定支持
TSOP和CBGA封装选项
顶部或底部启动块配置可用
128位注册保护
最少100,000次擦写循环
通用闪存接口（ CFI ）
绿色（无铅/无卤化物）包装
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16-megabit
（ 1M ×16 / 2M ×8 ）
3伏只
FL灰内存
AT49BV163D
AT49BV163DT
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1.描述
该AT49BV163D （ T）是组织为1,048,576 2.7伏16兆位闪存
也就是说，每行16位或2,097,152字节，每字节8位。在X16的数据出现在I / O0
- I / O15 ;在X8的数据出现在I / O0 - I / O7 。该存储器被分成39扇区为
擦除操作。该器件采用48引脚TSOP和48球CBGA封装
年龄。该设备具有CE和OE控制信号，以避免任何总线争用。这
器可读取或使用单一电源重新编程，使其理想地
适用于在系统编程。
在读出模式的设备通电。命令序列被用来放置
设备在其它的操作模式，如编程和擦除。该设备具有
能力，以保护数据中的任何部分（见
为了增加设备的灵活性，它包含一个擦除挂起和程序
挂起功能。此功能将把擦除或编程搁置任何金额
时间，并让用户读取数据或程序数据的任何剩余的扇区
内的存储器中。一个程序或一擦除周期结束时由检测
就绪/忙脚，数据轮询或切换位。
一个6字节的命令（输入单脉冲编程模式）序列删除
进入三字节的程序序列的要求提供，以进一步
提高编程时间。进入六字节码，只有单个脉冲的后
写控制线都需要写入到器件中。此模式（单
脉冲字节/字节目）是由设备断电退出，或者通过脉冲
RESET引脚为低电平至少500 ns的，然后把它回V
CC
。擦除，
3590A–FLASH–12/05
ATMEL [ ATMEL CORPORATION ]
