特点
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单电压操作
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- 5V阅读
- 5V重新编程
快速读取访问时间 - 70纳秒
内部控制程序和定时器
8K字节的引导块，带锁定功能
快速擦除周期 - 10秒
逐字节编程 - 10
µ
S /字节
硬件数据保护
对检测程序结束数据轮询
低功耗
- 30毫安工作电流
– 100
µ
一种CMOS待机电流
典型万次擦写循环
512K （ 64K ×8 ）
5伏只有
FL灰内存
AT49F512
描述
该AT49F512是5伏，只在系统可编程可擦除闪存。
它的内存512K是由8位， 65,536字。与制造
Atmel先进的非易失性CMOS技术，该器件可提供存取时间为70
纳秒只有165毫瓦的在商用温度范围内的功率耗散。
当设备被选中，则CMOS待机电流小于100
µA.
以允许简单的系统重新编程，该AT49F512不需要高
输入电压进行编程。五伏，只命令确定读和
该装置的编程操作。读数据从器件中是类似
阅读来自EPROM 。重新编程AT49F512被擦除执行
内存512K整体，然后编写一个字节一个字节的基础。典型的
字节编程时间是10快
µs.
一个程序周期结束均可以选择
（续）
销刀豆网络gurations
引脚名称
A0 - A15
CE
OE
WE
I / O0 - I / O7
NC
功能
地址
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
DIP顶视图
NC
NC
A15
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
I/O1
I/O2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
VCC
WE
NC
A14
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
数据输入/输出
无连接
VSOP顶视图（ 8 ×14毫米）或
TSOP顶视图（ 8 ×20 MM）
类型1
A11
A9
A8
A13
A14
NC
WE
VCC
NC
NC
A15
A12
A7
A6
A5
A4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
OE
A10
CE
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
GND
I/O2
I/O1
I/O0
A0
A1
A2
A3
512K （ 64K ×8 ）
5伏只有
CMOS闪存
内存
A14
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
I/O7
PLCC顶视图
A12
A15
NC
NC
VCC
WE
NC
14
15
16
17
18
19
20
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
5
6
7
8
9
10
11
12
13
4
3
2
1
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
牧师1027C -09 / 98
I/O1
I/O2
GND
I/O3
I/O4
I/O5
I/O6
1
ATMEL [ ATMEL CORPORATION ]
