Flash进行编程
AT89C51单片机通常随片上闪存
在擦除状态的存储器阵列（即，内容为FFH ）
并准备进行编程。编程接口
接受任一高电压（ 12伏）或低电压
(V
CC
）程序使能信号。低电压编程
明模式提供了编程的便捷方式
AT89C51的用户的系统内，而高电压
编程模式与传统的三阶兼容
党的Flash或EPROM编程器。
该AT89C51随任高电压或
低电压编程模式下启用。各
顶侧标记和设备签名代码列在
下表。
V
PP
= 12V
顶侧标记
AT89C51
xxxx
YYWW
（ 030H ） = 1EH
(031H) = 51H
（ 032H ） = F FH
V
PP
= 5V
AT89C51
xxxx-5
YYWW
（ 030H ） = 1EH
(031H) = 51H
(032H) = 05H
和对整个阵列或直到结束数据
对象文件为止。
数据查询：
AT89C51单片机功能数据查询，从而提供与
泄漏的一写周期的结束。在写周期期间，一个
未遂读取写入的最后一个字节，将导致在COM
二进制补上PO.7书面数据的。一旦写周期
已经完成时，真正的数据是对所有的输出有效，并且
下一个周期可以开始。数据轮询可能在任何时刻开始
后一个写周期已被启动。
READY / BUSY ：
字节编程过程还可以
由RDY / BSY输出信号进行监测。 P3.4被拉
ALE后低变高的编程过程中，指示
忙。 P3.4被拉高时再编程
做了指示就绪。
程序校验：
如果锁定位LB1和LB2一直没
编程的，编程的代码数据可以被读回
通过验证的地址线和数据线。锁定位
不能直接验证。的锁定位验证
通过观察它们的功能被启用来实现。
芯片擦除：
全闪存阵列的电擦除
通过使用控制信号，并通过适当的组合
拿着ALE / PROG低10毫秒。该代码数组写入
与所有的“1” 。该芯片擦除操作必须执行
程序存储器可以前重新编程。
读签名字节：
签名字节
用相同的程序读取作为一个正常的验证
位置030H ， 031H ， 032H和，所不同的是P3.6和
P3.7必须拉至逻辑低。所返回的值是
如下。
（ 030H ） = 1EH表示由Atmel公司生产的
（ 031H ） = 51H表示89C51
（ 032H ） = FFH表示12V编程
（ 032H ） = 05H表示5V编程
签名
AT89C51单片机程序存储器编程字节逐
字节中的任一编程模式。
要设定任何非
在片内Flash存储器的空白字节，整个存储器
必须使用芯片擦除模式被删除。
编程算法：
前编程
AT89C51 ，地址，数据和控制信号应当是
根据Flash编程模式表设置和
图3和图4为编程AT89C51 ，取
以下步骤。
1.输入该地址的存储位置
线。
2.输入数据线上相应的数据字节。
3.激活的控制信号的正确组合。
4.提高EA / V
PP
至12V的高电压编程
明模式。
5.脉冲ALE / PROG一次编程的一个字节
闪存阵列或锁定位。字节写周期是
自定时的，通常不会超过1.5毫秒。
，重复步骤1至5更改地址
编程接口
闪存阵列中的每个字节代码可以写的
整个阵列可以通过使用适当的combi-被擦除
国家的控制信号。写入操作周期是自
定时的，一旦启动，将自动时间本身来
完成。
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AT89C51
ATMEL [ ATMEL CORPORATION ]
