表5 。
外部引脚的状态在空闲和掉电模式
模式
空闲
空闲
掉电
掉电
程序存储器
国内
外
国内
外
ALE
1
1
0
0
PSEN
1
1
0
0
PORT0
数据
FL燕麦
数据
FL燕麦
PORT1
数据
数据
数据
数据
PORT2
数据
地址
数据
数据
PORT3
数据
数据
数据
数据
节目
内存锁
位
该AT89S51具有可被编程（ U）或可被编程三个锁定位
（P ），得到下表中列出的附加性能。
表6 。
锁定位保护模式
程序锁定位
LB1
1
2
U
P
LB2
U
U
LB3
U
U
保护类型
没有程序锁功能
从外部程序存储器执行MOVC指令
从读取的字节代码从内部存储器禁用，
EA进行采样和锁存的复位，并进一步
Flash存储器的编程被禁止
模式2相同，但要验证也将被禁用
一样的模式3 ，但外部的执行也将被禁用
3
4
P
P
P
P
U
P
当锁定位1被编程，在EA引脚上的逻辑电平进行采样，并在锁定
复位。如果该装置上电时没有复位时，闩锁初始化为随机值，并
认为值，直到复位被激活。 EA的锁存值必须与当前的
在该引脚的逻辑电平，以使设备正常工作。
程序设计
闪存 -
并行模式
在AT89S51是随片上闪存阵列准备进行编程。该
编程接口需要一个高电压（ 12伏）的程序使能信号和是compati-
竹叶提取与传统的第三方Flash或EPROM编程器。
该AT89S51代码存储器阵列进行编程逐字节。
编程算法：
前编程AT89S51 ，地址，数据和控制
信号应设置根据闪存编程模式表（表7）和
图4和图5。要编程AT89S51 ，请执行以下步骤：
1.输入的地址线的存储位置。
2.输入数据线上相应的数据字节。
3.激活的控制信号的正确组合。
4.提高EA / V
PP
至12V 。
5.脉冲ALE / PROG一次编程闪存阵列或锁定位字节。在字节级
写周期是自定时的，通常需要不超过50微秒以上。重复步骤1
通过如图5所示，改变地址和数据在整个阵列或直到结束
对象文件为止。
数据查询：
该功能AT89S51数据轮询来表示一个字节写周期结束。
在写周期期间，写入的最后一个字节的一个尝试读取将导致的补
P0.7上写入的数据。一旦写周期已经完成时，真正的数据是对所有输出有效
放，并在下一个周期可以开始。数据轮询可以在任何时刻开始后的写入周期具有
已经启动。
12
AT89S51
2487B–MICRO–12/03
ATMEL [ ATMEL CORPORATION ]
