WRITE (写) :
写入( WRITE)指令包含8或16位数据成为
写入到指定的内存位置。自定时编程周期T
WP
开始
后数据的最后一位的串行数据输入管脚DI被接收。 DO引脚输出
的一部分,如果CS的准备/繁忙状态而保持低了至少后拉高
250纳秒(T
CS
) 。逻辑“ 0” DO表明编程仍在进行中。逻辑“ 1 ”
表明,在指定的地址的存储单元被写入与
数据模式中包含的指令和部分准备作进一步的说明。
A
如果CS在结束后所带来的高READY / BUSY状态不能得到
自定时编程周期T
WP
.
全部清除( ERAL ) :
擦除所有( ERAL )教学计划中的MEM-每一位
储器阵列的逻辑“1”状态,并且主要是用于测试目的。 DO引脚
输出部分,如果CS的准备/繁忙状态被保持在较低的后拉高
最低250纳秒(T
CS
) 。 ERAL指令只适用于V
CC
= 5.0V
±
10%.
全部写入( WRAL ) :
写所有( WRAL )指令程序的所有内存位置
与指令指定的数据模式。 DO引脚输出READY / BUSY
的一部分,如果CS的状态被保持低了至少250纳秒(T后拉高
CS
).
WRAL指令只适用于V
CC
= 5.0V ± 10%.
擦/写禁止(EWDS ) :
为了防止意外的数据干扰,在
擦除/写禁止( EWDS )指令禁止所有的编程模式,并应
所有编程操作后执行。 READ指令的操作是
独立于EWEN和EWDS指令两者,可以在任何被执行
时间。
时序图
图2中。
同步数据时序
注意:
1.这是最小的SK周期。
6
AT93C56A/66A
3378K–SEEPR–12/06