TMF8901F 参数 Datasheet PDF下载

型号：	TMF8901F
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内容描述：	硅射频LDMOS晶体管 [Si RF LDMOS Transistor]
分类和应用：	晶体晶体管射频
文件页数/大小：	5 页 / 267 K
品牌：	AUK [ AUK CORP ]

Semiconductor

TMF8901F

Si RF LDMOS Transistor

SOT-89

Unit in mm

□

Applications

- VHF and UHF wide band amplifier

□

Features

- Power gain

= 12.5 dB at V

= 4.5 V, I

Dset

= 200 mA, f = 470 MHz

- Output power

OUT

= 32 dBm at V

= 4.5 V, I

Dset

= 200 mA, f = 470 MHz

- Drain efficiency

= 60 % (typ.)

□

Marking

Pin Configuration

1. Gate

2. Source

8901

3. Drain

4. Source

□

Absolute Maximum Ratings

= 25

℃)

Parameter

Drain to Source Voltage

Gate to Source Voltage

Drain Current

Total Power Dissipation

Channel Temperature

Storage Temperature

Symbol

tot

Tch

stg

Ratings

13.0

4.0

1.2

150

-65 ~ 150

Unit

℃

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